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文檔簡介
1、近年來在現(xiàn)代納米科技中,三維共形沉積的貴金屬和過渡金屬薄膜由于其具有高熔點、高化學穩(wěn)定性、高強度、良好的延展性、抗氧化性、耐腐蝕性、高催化活性以及良好的導電性等物理化學特性,而被應用于微電子、光學、電極材料、燃料電池、氣敏元件和航空航天等高新技術和軍工技術的各個領域,因此探究三維共形沉積貴金屬和過渡金屬薄膜具有重要的現(xiàn)實意義和實用價值。
本課題采用原子層沉積的方法,以β二酮類金屬有機前驅(qū)體(乙酰丙酮、氟化的乙酰丙酮)為金屬源,
2、在硅片上沉積貴金屬(Ir、Pd、Pt)和過渡金屬(Cu)。針對Kemicro-TALD-100A型號的熱型原子層沉積設備對固體粉末源出源差的問題,對沉積設備進行升級和優(yōu)化,研究長周期對銥和鈀薄膜生長的影響,尋求沉積金屬銥薄膜更優(yōu)的解決方案。借助X射線衍射(XRD)、能譜測試(EDS)、X射線電子能譜(XPS)、掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)等手段對金屬薄膜的結構、形貌進行研究。
通過研究,取得以下成果:
3、1.在熱型原子層沉積設備上增加源瓶增壓裝置,并對粉塵裝的金屬源設計了過濾系統(tǒng),避免了儀器管道的污染。在該設備上沉積貴金屬(Ir、Pd、Pt)和過渡金屬(Cu)薄膜。結果表明,沉積在襯底上的Ir、Pt、Pd均為金屬單質(zhì)而Cu中含有一定量的氧化物,可能由于銅暴露空氣中被氧化的原因。
2.研究長周期對銥和鈀薄膜生長的影響。在500周期時,銥和鈀薄膜以島狀生長模式占主導,在800周期時,生長模式以二維層狀為主導;800周期的銥和鈀金屬
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