2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩1頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、238第六章第六章基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管■解決方案解決方案從公式（6.8b），得出那么最大寬度空間電荷為或者■評(píng)論評(píng)論空間電荷引起的最大寬度是在數(shù)量級(jí)為pn結(jié)空間電荷寬度相同的順序。演習(xí)問(wèn)題演習(xí)問(wèn)題例如例如6.2（a）當(dāng)氧化物對(duì)p型硅交界處T=300K。摻雜的雜質(zhì)濃度的硅Na=31016cm3。計(jì)算硅在空間電荷的最大寬度。（b）重復(fù)的一部分雜質(zhì)濃度（a）Na=1015cm3。我們一直在考慮一p型半導(dǎo)體基板。相同的最高誘導(dǎo)空間

2、電荷區(qū)的寬度發(fā)生在一個(gè)n型襯底。圖6.16是在與一個(gè)n型襯底的閾值電壓能帶圖?？梢詫懀?.13a）或者（6.13b）然后可以得出（6.14）圖6.17的XdT在T=300K作為硅摻雜濃度的函數(shù)。半導(dǎo)體摻雜可以是n型或p型。測(cè)試測(cè)試測(cè)試測(cè)試6.16.1當(dāng)T=300K氧化物到n型硅結(jié)。雜質(zhì)摻雜濃度的硅為Nd=81015cm6.3電位差的MOS電容器2393。計(jì)算硅的空間電荷的最大寬度。圖6.166.16︱能帶圖中的n型半導(dǎo)體在反轉(zhuǎn)點(diǎn)的閾值。

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論