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文檔簡介
1、CT勢壘電容Cj結(jié)(極間)電容,表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容Cjv偏壓結(jié)電容Co零偏壓電容Cjo零偏壓結(jié)電容CjoCjn結(jié)電容變化Cs管殼電容或封裝電容Ct總電容CTV電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC電容溫度系數(shù)Cvn標(biāo)稱電容IF正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最
2、大工作電流(平均值),硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF(AV)正向平均電流IFM(IM)正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH恒定電流、維持電流。Ii發(fā)光二極管起輝電流IFRM正向重復(fù)峰值電流IFSM正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)Io整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)正向過載電
3、流IL光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID暗電流IB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM發(fā)射極峰值電流IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM最大輸出平均電流IFMP正向脈沖電流IP峰點(diǎn)電流IV谷點(diǎn)電流IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM控制極正向峰值電流IR(AV)反向平均電流IR(In)反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦
4、半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM反向峰值電流IRR晶閘管反向重復(fù)平均電流RBB雙基極晶體管的基極間電阻RE射頻電阻RL負(fù)載電阻Rs(rs)串聯(lián)電阻Rth熱阻R(th)ja結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz(ru)動態(tài)電阻R(th)jc結(jié)到殼的熱阻rδ衰減電阻r(th)瞬態(tài)電阻Ta環(huán)境溫度Tc殼
5、溫td延遲時間tf下降時間tfr正向恢復(fù)時間tg電路換向關(guān)斷時間tgt門極控制極開通時間Tj結(jié)溫Tjm最高結(jié)溫ton開通時間toff關(guān)斷時間tr上升時間trr反向恢復(fù)時間ts存儲時間tstg溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度a溫度系數(shù)λp發(fā)光峰值波長△λ光譜半寬度η單結(jié)晶體管分壓比或效率VB反向峰值擊穿電壓Vc整流輸入電壓VB2B1基極間電壓VBE10發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB飽和壓降VFM最大正向壓降(正向峰值電壓)VF正向壓降(正向直流電
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