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1、1國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法》(送審稿)編制說(shuō)明(送審稿)編制說(shuō)明一、工作簡(jiǎn)況1、項(xiàng)目背景和立項(xiàng)意義導(dǎo)電類型是半導(dǎo)體材料的基本電學(xué)參數(shù)。在本征半導(dǎo)體中添加施主或受主物質(zhì)(通常稱為摻雜物),通過(guò)施主型雜質(zhì)解離向?qū)ё⑷腚娮踊蚴苤餍碗s質(zhì)俘獲價(jià)帶電子產(chǎn)生的自由載流子,使本征半導(dǎo)體產(chǎn)生額外的電導(dǎo),成為非本征半導(dǎo)體。非本征半導(dǎo)體由于添加施主型雜質(zhì)或受主型雜質(zhì)分別成為N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。在
2、半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)過(guò)程中,非本征半導(dǎo)體導(dǎo)電類型的測(cè)定對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的制造及研究和發(fā)展具有重要的意義。隨著半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法近年來(lái)也在不斷改進(jìn),原有標(biāo)準(zhǔn)GBT15501997已經(jīng)不能充分適應(yīng)目前半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要,因此需要對(duì)原有標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行修訂。本標(biāo)準(zhǔn)主要參照SEMIMF421105(0611)對(duì)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GBT15501997進(jìn)行修訂,進(jìn)一步完善非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測(cè)試方法。鑒于半導(dǎo)體晶片做得越
3、來(lái)越薄(供太陽(yáng)能電池用的硅片厚度已經(jīng)達(dá)到160~180μm),原有標(biāo)準(zhǔn)GBT15501997中的三探針?lè)袄錈崽结樂(lè)ǖ葴y(cè)量導(dǎo)電類型的方法極易引起晶片損傷,也無(wú)法適應(yīng)現(xiàn)代化晶片自動(dòng)分選的要求,本標(biāo)準(zhǔn)在修訂時(shí)增加了表面光電壓法測(cè)試非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的方法。本標(biāo)準(zhǔn)修訂后擴(kuò)展了原標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍,有較強(qiáng)的適用性,將更為完整、先進(jìn),更好地滿足半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。2、任務(wù)來(lái)源2015年8月,根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委關(guān)于下達(dá)2015年第二批國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
4、制修訂計(jì)劃的通知》(國(guó)標(biāo)委綜合[2015]52號(hào))的要求,《非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的修訂任務(wù)由樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所負(fù)責(zé),計(jì)劃號(hào)為20151793T469,任務(wù)完成時(shí)間為2015年~2017年。3、項(xiàng)目承擔(dān)單位概況樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所是四川省樂(lè)山市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局直屬質(zhì)檢技術(shù)機(jī)構(gòu),是依據(jù)《中華人民共和國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化法》和《中華人民共和國(guó)產(chǎn)品質(zhì)量法》設(shè)置的法定檢驗(yàn)機(jī)構(gòu),于1989年按照《計(jì)量法》規(guī)定首次通過(guò)計(jì)量認(rèn)證和實(shí)驗(yàn)
5、室審查認(rèn)可。該所現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)室面積約23000平方米,擁有價(jià)值超過(guò)8000萬(wàn)元的檢驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備600多臺(tái)套,能開(kāi)展1000多項(xiàng)產(chǎn)品、3340個(gè)技術(shù)參數(shù)的檢測(cè)。樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所所屬國(guó)家硅產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心(四川)現(xiàn)有工作人3嵋半導(dǎo)體材料研究所補(bǔ)充了一組方法E測(cè)試導(dǎo)電類型的試驗(yàn)數(shù)據(jù)。根據(jù)意見(jiàn)回函及補(bǔ)充的試驗(yàn)數(shù)據(jù),標(biāo)準(zhǔn)編制組對(duì)征求意見(jiàn)稿進(jìn)行認(rèn)真討論研究,并于2016年8月18日完成預(yù)審稿的編寫(xiě)工作。2016年9月8日在新疆維吾爾自治區(qū)昌吉
6、市召開(kāi)《非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)第二次工作會(huì)(預(yù)審會(huì))上,與會(huì)專家對(duì)標(biāo)準(zhǔn)預(yù)審稿進(jìn)行了充分的討論,提出了修改意見(jiàn)。具體意見(jiàn)見(jiàn)意見(jiàn)匯總處理表(提出單位“預(yù)審會(huì)”)。根據(jù)2016年9月8日標(biāo)準(zhǔn)預(yù)審會(huì)提出的修改意見(jiàn),標(biāo)準(zhǔn)編制組對(duì)《非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法》預(yù)審稿進(jìn)行仔細(xì)修改,并于2016年10月26日發(fā)給相關(guān)單位再次征求意見(jiàn),先后共收到意見(jiàn)建議11條。根據(jù)意見(jiàn)建議,標(biāo)準(zhǔn)編制組在對(duì)標(biāo)準(zhǔn)稿件進(jìn)行認(rèn)真的討論修改,于2017年
7、2月22日完成送審稿的編寫(xiě)工作。二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容1、編制原則1)適用性原則:根據(jù)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)和下游使用廠商的具體情況,以應(yīng)用單位對(duì)非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的檢測(cè)需求為主要依據(jù)進(jìn)行編制修訂。標(biāo)準(zhǔn)力求做到合理、實(shí)用,能滿足半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型檢測(cè)的要求。2)科學(xué)性原則:實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有可靠性,標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的檢測(cè)方法在同一實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)結(jié)果具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性,不同實(shí)驗(yàn)室之間的檢測(cè)結(jié)果具有一致性。標(biāo)準(zhǔn)能積極有效地規(guī)范非本征半
8、導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的分析方法,也能滿足不同行業(yè)以及國(guó)內(nèi)外進(jìn)出口貿(mào)易市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體中非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型分析的需求。3)規(guī)范性原則:標(biāo)準(zhǔn)在格式上嚴(yán)格按照GBT1.12009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)規(guī)則》的要求進(jìn)行編寫(xiě)。2、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容及確定依據(jù)(需補(bǔ)充)本標(biāo)準(zhǔn)利用熱電勢(shì)、整流、表面光電壓等方法來(lái)測(cè)定非本征半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型,適用于非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測(cè)定。主要修訂內(nèi)容:標(biāo)準(zhǔn)參照SEMIMF421105(0611)
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