第四章volterra模型

1、第四章第四章VolterraVolterra模型模型在本章中我們首先回顧最常用的非線(xiàn)性建模方法.第4.1.2節(jié)討論多項(xiàng)式Volterra模型建模方法的特性第4.2節(jié)詳細(xì)解說(shuō)記錄下來(lái)的完全電非線(xiàn)性和電熱非線(xiàn)性以及建模非線(xiàn)性級(jí)數(shù)展開(kāi)中所用的項(xiàng).4.3節(jié)描述了如何應(yīng)用Volterra分析方法計(jì)算一個(gè)普通發(fā)射放大器的失真并且作為第一個(gè)研究案例第4.4介紹了在一個(gè)BJTCE放大器中影響IM3失真的所有項(xiàng)的分析.同樣的分析(對(duì)一個(gè)MESFET放大器

2、)在第4.5節(jié)中介紹.4.1非線(xiàn)性建模非線(xiàn)性建模為了能夠分析功放的非線(xiàn)性行為我們需要為實(shí)際的非線(xiàn)性電路無(wú)源匹配以及偏置元件建立精確的模型.但此模型的獲取又有一定難度.眾所周知N階失真的數(shù)量與IV和QV波形的N階導(dǎo)數(shù)成比例(參照[13]).因此為了達(dá)到精確的失真模擬對(duì)有源元件的IV和QV波必須建模因此不僅是直流值高階導(dǎo)數(shù)同樣是正確且連續(xù)的.(為了便于參考在早期的仿真模型中第一階導(dǎo)數(shù)可以不連續(xù)).此外電容是很容易建模的因此電荷沒(méi)有存儲(chǔ)這將導(dǎo)

3、致完全容性結(jié)點(diǎn)的非物理整流和自偏壓.因此特別是如果電容值同時(shí)取決于兩個(gè)終端電壓將電容模擬等效于電荷平衡是十分重要的[5].由于無(wú)源元件在高頻具有分布特性很難在射頻頻率上對(duì)其建模.有損耗的傳輸線(xiàn)難以在時(shí)域上進(jìn)行建模一般而言無(wú)源元件的建模在頻域上更加精確.盡管如此有些無(wú)源元件的頻域仿真模型在高次諧波時(shí)也可能是不準(zhǔn)確的例如傳輸線(xiàn)寬上的階躍變化在電路分析中可以采用測(cè)試電路的標(biāo)準(zhǔn)終端阻抗值來(lái)進(jìn)行分析.簡(jiǎn)而言之為了得到精確的失真模擬從模擬模型中需要

4、:1.對(duì)N階失真模擬來(lái)說(shuō)IV和QV波形的N階導(dǎo)數(shù)必須足夠精確.2.結(jié)點(diǎn)阻抗的頻率響應(yīng)對(duì)于最高相關(guān)諧波必須是正確的.同時(shí)在基帶頻率偏置阻抗和熱阻抗的正確模型也是十分需要的.3.如果可以得到主要失真源的組成信息將十分有用.4.1.1非線(xiàn)性仿真模型非線(xiàn)性仿真模型圖4.1(a)功率放大器的AMAM和AMPM波形(b)基于濾波器和無(wú)記憶非線(xiàn)性的由頻率決定的非線(xiàn)性模型.器件模型描述了半導(dǎo)體設(shè)備的動(dòng)作以及無(wú)源和分布式元件的合適模型可以建立并優(yōu)化功放的