靜電放電抗擾度的檢測方法的檢測方法

1、第1頁共4頁靜電放電抗擾度的檢測方法靜電放電抗擾度的檢測方法GBT7261共對11項電磁兼容試驗(yàn)加以要求：1、1MHz和100kHz脈沖群抗擾度試驗(yàn)2、靜電放電抗擾度試驗(yàn)3、輻射電磁場抗擾度試驗(yàn)4、電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)5、浪涌抗擾度試驗(yàn)6、射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾的抗擾度試驗(yàn)7、工頻抗擾度試驗(yàn)8、工頻磁場抗擾度試驗(yàn)9、脈沖磁場抗擾度試驗(yàn)10、阻尼振蕩磁場抗擾度試驗(yàn)11、電磁發(fā)射試驗(yàn)中試部聯(lián)合基礎(chǔ)硬件部共同開展的試驗(yàn)項目為：靜電放電抗擾

2、度試驗(yàn)、電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)、浪涌抗擾度試驗(yàn)。靜電放電抗擾度試驗(yàn)靜電放電抗擾度試驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)為《GBT14598.141998量度繼電器和保護(hù)裝置的電氣干擾試驗(yàn)第2部分：靜電放電試驗(yàn)》。1、為什么要進(jìn)行靜電放大抗擾度試驗(yàn)、為什么要進(jìn)行靜電放大抗擾度試驗(yàn)靜電產(chǎn)生的危害：靜電產(chǎn)生的危害：在干燥的大氣環(huán)境和有合成織物的場所容易產(chǎn)生靜電電荷，操作者的身體可直接接地或經(jīng)靜電感應(yīng)而產(chǎn)生電荷。電子設(shè)備損壞多數(shù)為靜電所致，靜電對集成電路、光電器件等

3、的損害很嚴(yán)重。像CMOS器件絕緣層的典型厚度已達(dá)到0.1μm以下，其相應(yīng)耐擊穿電壓大致80至100V。某些VMOS的耐擊穿電壓只有30V，而千兆位DRAM耐壓僅為10至20V。在電子產(chǎn)品的生產(chǎn)和運(yùn)輸、儲存等過程中產(chǎn)生的靜電電壓遠(yuǎn)大于上述閾值，造成微電子器件產(chǎn)生擊穿（或）軟擊穿，使之失效或嚴(yán)重影響產(chǎn)品可靠性。2、試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及試驗(yàn)方法介紹、試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及試驗(yàn)方法介紹試驗(yàn)?zāi)康模涸囼?yàn)?zāi)康模罕驹囼?yàn)的目的是證明被試量度繼電器和保護(hù)裝置在被激勵并受靜電放電

4、影響時不會誤動作。試驗(yàn)對象：試驗(yàn)對象：所選擇的供試驗(yàn)用的點(diǎn)應(yīng)當(dāng)是在正常工作條件下操作者易于接近的部位，包括去掉量度繼電器或保護(hù)裝置外殼才能接近的整定調(diào)整部位，但不包括去掉外罩之后還需要去掉任一部分（例如某個插件）才能整定調(diào)整的部位，對僅為了修理和維護(hù)的目的才第3頁共4頁空氣放電法是將試驗(yàn)發(fā)生器已充電的電極接近被試量度繼電器或保護(hù)裝置，由火花觸發(fā)對被試量度繼電器或保護(hù)裝置進(jìn)行放電的一種試驗(yàn)方法。操作方法：靜電槍選用AIR檔位，放電探頭選用

5、圓頭狀探頭。放電電極的放電尖端應(yīng)接近并盡可能地快速碰及被試量度繼電器或保護(hù)裝置而不致造成機(jī)械性損傷。在每次放電后，放電電極應(yīng)離開被試量度繼電器或保護(hù)裝置，而重新觸發(fā)發(fā)生器，進(jìn)行新的單次放電。這一過程應(yīng)多次重復(fù)，直到完成規(guī)定的放電次數(shù)。電壓等級如下表：試驗(yàn)電壓（5％）等級接觸放電空氣放電0－－12kV2kV24kV4kV36kV8kV48kV15kV3、測試項目的實(shí)際應(yīng)用、測試項目的實(shí)際應(yīng)用結(jié)合測試對象的應(yīng)用介紹。試驗(yàn)對象：試驗(yàn)對象：實(shí)際

6、操作中，手指可以觸碰，有靜電危害隱患的部位，如保護(hù)裝置的前面板（液晶、人機(jī)接口）、裝置外殼（網(wǎng)關(guān)、GPS裝置等）。因?yàn)檠b置入屏安裝后，正常操作的只有前面板的人機(jī)接口及裝置的外殼，而裝置內(nèi)部的芯片、模塊等部件因?yàn)槿粘２僮鞑粫佑|到，不進(jìn)行此項測試。測試項目舉例：測試項目舉例：以液晶測試為例。【測試要求】：進(jìn)行等級為Ⅳ的靜電放電抗擾度試驗(yàn)，試驗(yàn)中及試驗(yàn)后觀察液晶的顯示狀況?！緶y試結(jié)果】：可以滿足液晶說明書規(guī)定，試驗(yàn)結(jié)果見表5。靜電放電抗擾度