3d立體封裝技術(shù)簡說

1、3D3D立體封裝技術(shù)簡說立體封裝技術(shù)簡說我們?nèi)粘Ｊ褂玫脑S多產(chǎn)品因3D半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展的形態(tài)和功能得以實現(xiàn)。(諸如手機(jī)、個人娛樂設(shè)備和閃存驅(qū)動器等)。3D封裝技術(shù)也對那些依賴胰島素泵和去纖顫器等可植入醫(yī)療設(shè)備的患者為提升生命質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)品采用垂直化發(fā)展的堆疊式裸片、層疊封裝（PoP）或穿透硅通道（TSV）等封裝技術(shù)，功能密度、重量和可配置性方面的優(yōu)勢只是3D封裝技術(shù)廣受青睞的部分原因。方法，去評估與具體設(shè)計實現(xiàn)

2、相關(guān)的各個方面。這種方法使焊盤布置變得容易，而且能在整個系統(tǒng)環(huán)境中推斷并評估各種連接情況。一個一體化的芯片封裝PCB數(shù)據(jù)模型自動將設(shè)計元素的變化衍播至鄰近區(qū)域，對系統(tǒng)范圍內(nèi)的影響提供瞬時反饋。在具體設(shè)計實現(xiàn)之前，優(yōu)化IO焊盤環(huán)和封裝到封裝的連接性，以改善性能、成本和可制造性，從而最終獲得及時、有效的PoP開發(fā)結(jié)果。前瞻性建模在設(shè)計流程的早期使用抽取結(jié)果，可使設(shè)計人員能夠了解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和實現(xiàn)選擇對系統(tǒng)級行為產(chǎn)生的影響。在了解信號負(fù)載、延時、

3、反射和耦合等情況之后，IO設(shè)計人員可實現(xiàn)更加可靠的片上驅(qū)動器。類似地，在設(shè)計早期使用封裝電源面和片上電源柵格電氣模型，可使設(shè)計人員對封裝和芯片之間的去耦電容布置進(jìn)行權(quán)衡，以實現(xiàn)具有最佳性能、最低成本的設(shè)計。利用可行性研究生成的跡線和線綁定長度，設(shè)計人員可大致估計信號網(wǎng)絡(luò)的寄生參數(shù)。不過，提取功率傳輸系統(tǒng)寄生參數(shù)需要某種形式（即使近似）的物理實現(xiàn)。不連續(xù)的返回路徑、電源面的共振以及去耦策略取決于物理實現(xiàn)。因此，在考慮是否分割功率傳輸面以及

4、它們與信號完整性的交互作用方面，完整的封裝提取為做出最終選擇提供了很好的支持。這種選擇必須在封裝設(shè)計流程的早期就確定下來；在設(shè)計流程后期很難改變，即使提取量僅被用于最終驗證，或為同事或客戶提供最終設(shè)計的電氣模型。TSV封裝是一種垂直封裝形式，它有望實現(xiàn)更高的集成密度并支持高帶寬的存儲邏輯接口。一些看法認(rèn)為，當(dāng)僅憑半導(dǎo)體工藝本身無法實現(xiàn)芯片縮放時，TSV封裝可作為實現(xiàn)這一目標(biāo)的手段。在TSV技術(shù)中，是利用硅片上的通孔將裸片堆疊并直接相連，