模擬電子技術基礎李國麗第一章習題答案

1、1半導體二極管半導體二極管自我檢測題自我檢測題一選擇和填空一選擇和填空1純凈的、結構完整的半導體稱為本征半導體，摻入雜質(zhì)后稱雜質(zhì)半導體。若摻入五價雜質(zhì)，其多數(shù)載流子是電子。2在本征半導體中，空穴濃度C電子濃度；在N型半導體中，空穴濃度B電子濃度；在P型半導體中，空穴濃度A電子濃度。（A大于，B小于，C等于）3.在雜質(zhì)半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于C，而少數(shù)載流子的濃度與A關系十分密切。（A溫度，B摻雜工藝，C雜質(zhì)濃度）4.當PN結

2、外加正向電壓時，擴散電流A漂移電流，耗盡層E；當PN結外加反向電壓時，擴散電流B漂移電流，耗盡層D。（A大于，B小于，C等于，D變寬，E變窄，F(xiàn)不變）5二極管實際就是一個PN結，PN結具有單向?qū)щ娦裕刺幱谡蚱脮r，處于導通狀態(tài)；反向偏置時，處于截止狀態(tài)。6.普通小功率硅二極管的正向?qū)▔航导s為_B，反向電流一般_C_；普通小功率鍺二極管的正向?qū)▔航导s為_A_，反向電流一般_D_。（A0.1～0.3V，B0.6～0.8V，C小于，D

3、大于）Aμ1Aμ17.已知某二極管在溫度為25℃時的伏安特性如圖選擇題7中實線所示，在溫度為T1時的伏安特性如圖中虛線所示。在25℃時，該二極管的死區(qū)電壓為0.5伏，反向擊穿電壓為160伏，反向電流為106安培。溫度T1小于25℃。（大于、小于、等于）vV0imA0.001501020301001500.51T125oC0.0020.003圖選擇題78PN結的特性方程是。普通二極管工作在特性曲線的正向區(qū)；穩(wěn))1(??TVvSeIi壓管工

4、作在特性曲線的反向擊穿區(qū)。二判斷題（正確的在括號內(nèi)畫二判斷題（正確的在括號內(nèi)畫√，錯誤的畫，錯誤的畫）1N型半導體可以通過在純凈半導體中摻入三價硼元素而獲得。（??t0vO5V??2（b）圖中，二極管導通，vo=vi10。??t051015vOV??2（c）圖中，二極管截止，vo=0。??t0vOVvO0=1.2求圖題1.2所示電路中流過二極管的電流ID和A點對地電壓VA。設二極管的正向?qū)妷簽?.7V。10V(a)D(b)AR120

5、k?IDR210k?6V10VDAR12k?IDR210k?6VR33k?圖題1.2解：解：（a）VVA3.57.06?????mARVRVIAAD3.101021?????（b）3217.0)6(10RVRVRVAAA??????得VVA96.4?mARVIAD42.17.03???1.33電路如圖題1.3所示，已知D1為鍺二極管，其死區(qū)電壓Vth＝0.2V，正向?qū)▔航禐?.3V；D2為硅二極管，其死區(qū)電壓為Vth＝0.5V，正向?qū)?/p>