重大2015年數(shù)字電子技術(shù) ( 第1次作業(yè) )

1、第1次作業(yè)次作業(yè)一、單項(xiàng)選擇題（本大題共一、單項(xiàng)選擇題（本大題共4040分，共分，共2020小題，每小題小題，每小題2分）分）1.和TTL電路相比，CMOS電路最突出的優(yōu)點(diǎn)在于（）。A.可靠性高B.抗干擾能力強(qiáng)C.速度快D.功耗低2.在下列邏輯電路中，不是組合邏輯電路的是（）。A.譯碼器B.編碼器C.全加器D.寄存器3.同步時(shí)序電路和異步時(shí)序電路比較，其差異在于后者（）。A.沒(méi)有觸發(fā)器B.沒(méi)有統(tǒng)一的時(shí)鐘脈沖控制C.沒(méi)有穩(wěn)定狀態(tài)D.輸出只

2、與內(nèi)部狀態(tài)有關(guān)4.對(duì)于鐘控RS觸發(fā)器，若要求其輸出“0“狀態(tài)不變，則輸入的RS信號(hào)應(yīng)為（）。A.RS=X0B.RS=0XC.RS=X1D.RS=1X5.已知輸入A、B和輸出Y的波形如下圖所示，則對(duì)應(yīng)的邏輯門電路是（）。A.與門B.與非門C.或非門D.異或門6.多諧振蕩器可產(chǎn)生（）。A.正弦波B.矩形脈沖C.三角波D.鋸齒波7.某計(jì)數(shù)器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖如下，其計(jì)數(shù)的容量為（）。A.八B.五C.四D.三8.將一個(gè)包含有16384個(gè)基本存儲(chǔ)單元的

3、存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)成4096個(gè)字節(jié)的RAM，那么該RAM有（）個(gè)地址。A.16384B.4096C.12D.49.輸入至少（）位數(shù)字量的DA轉(zhuǎn)換器分辨率可達(dá)千分之一。A.9B.10C.11D.12諧振蕩器不具有穩(wěn)態(tài)2.下列關(guān)于RAM的描述中正確的有（）。A.RAM的存儲(chǔ)元件是一般的二極管、三極管或MOS管，它們本身沒(méi)有記憶功能B.RAM中的數(shù)據(jù)可以隨時(shí)更改C.RAM中的數(shù)據(jù)即使斷電后也不會(huì)丟失D.RAM的IO電路是雙向總線3.對(duì)下圖所示邏輯電

4、路的分析正確的是（）。A.B.C.D.4.下列關(guān)于ROM的描述中正確的有（）。A.ROM的存儲(chǔ)元件是一般的二極管、三極管或MOS管，它們本身沒(méi)有記憶功能B.ROM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)不可更改只能讀出C.ROM和RAM的地址譯碼器不同，RAM是N取1譯碼而ROM的不是D.ROM的讀出電路時(shí)單向總線5.下列對(duì)ROM、PROM和EPROM及E2PROM的描述正確的有（）。A.只讀存儲(chǔ)器ROM用于存放固定不變的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)內(nèi)容不能隨便更改B.PROM是可編