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1、第一章答案20、(1)略;(2)四面體空隙數(shù)O2數(shù)=2:1,八面體空隙數(shù)O2數(shù)=1:1;(3)(a)CN=4,z48=2,z=1,Na2O,Li2O;(b)CN=6,z66=2,z=2,F(xiàn)eO,MnO;(c)CN=4,z44=2,z=4,ZnS,SiC;(d)CN=6,z63=2,z=4,MnO2。21、解:島狀;架狀;單鏈;層狀(復(fù)網(wǎng));組群(雙四面體)。22、解:(1)有兩種配位多面體,[SiO4],[MgO6],同層的[MgO6]
2、八面體共棱,如59[MgO6]和49[MgO6]共棱75O2和27O2,不同層的[MgO6]八面體共頂,如1[MgO6]和51[MgO6]共頂是22O2,同層的[MgO6]與[SiO4]共頂,如T[MgO6]和7[SiO4]共頂22O2,不同層的[MgO6]與[SiO4]共棱,T[MgO6]和43[SiO4]共28O2和28O2;(3)z=4;(4)Si4占四面體空隙=18,Mg2占八面體空隙=12。23、解:透閃石雙鏈結(jié)構(gòu),鏈內(nèi)的Si
3、O鍵要比鏈5的CaO、MgO鍵強很多,所以很容易沿鏈間結(jié)合力較弱處劈裂成為纖維狀;滑石復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu),復(fù)網(wǎng)層由兩個[SiO4]層和中間的水鎂石層結(jié)構(gòu)構(gòu)成,復(fù)網(wǎng)層與復(fù)網(wǎng)層之間靠教弱的分之間作用力聯(lián)系,因分子間力弱,所以易沿分子間力聯(lián)系處解理成片狀。24、解:石墨中同層C原子進行SP2雜化,形成大Π鍵,每一層都是六邊形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。由于間隙較大,電子可在同層中運動,可以導(dǎo)電,層間分子間力作用,所以石墨比較軟。25、解:(1)Al3可與O2形成[Al
4、O4]5;Al3與Si4處于第二周期,性質(zhì)類似,易于進入硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中與Si4發(fā)生同晶取代,由于鮑林規(guī)則,只能部分取代;(2)Al3置換Si4是部分取代,Al3取代Si4時,結(jié)構(gòu)單元[AlSiO4][ASiO5],失去了電中性,有過剩的負電荷,為了保持電中性,將有一些半徑較大而電荷較低的陽離子如K、Ca2、Ba2進入結(jié)構(gòu)中;(3)設(shè)Al3置換了一半的Si4,則O2與一個Si4一個Al3相連,陽離子靜電鍵強度=341441=74,O2電
5、荷數(shù)為2,二者相差為14,若取代超過一半,二者相差必然14,造成結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。X=1y=10.0435=0.9565Fe0.9565O[VFe’’]===2.221027、解:Zn(g)Znie’Zn(g)12O2=ZnOZnie’12O2ZnO[ZnO]=[e’],∴PO2[Zni]ρO2(g)OOVFe’’2hk=[OO][VFe’’][h]PO212=4[OO][VFe’’]3PO212[VFe’’]∝PO216,∴PO2[VFe’
6、’]ρ8、解:刃位錯:位錯線垂直于位錯線垂直于位錯運動方向;螺位錯:位錯線平行于位錯線平行于位錯運動方向。10、解:排斥,張應(yīng)力重疊,壓應(yīng)力重疊。11、解:晶界對位錯運動起阻礙作用。12、解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于無序的狀態(tài),而位錯之間的距離可能只有一、兩個原子的大小,不適用于大角度晶界。13、解:(1)原子或離子尺寸的影響,△r30%很難或不能形成固溶體;△r愈大,固溶度愈小;(2)晶體結(jié)構(gòu)類型的影響,只有兩種結(jié)構(gòu)相同和
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