透射電鏡技術(shù)指標(biāo)(final)

1、技術(shù)指標(biāo)確認(rèn)書技術(shù)指標(biāo)確認(rèn)書設(shè)備名稱數(shù)量功能及技術(shù)參數(shù)場(chǎng)發(fā)射高分辨透射電子顯微鏡1一、必要功能：材料的形貌、結(jié)構(gòu)、缺陷和界面的微觀分析；二、輔助功能：1、成分的定性和半定量分析；2、元素的點(diǎn)、線和面分析三、儀器工作條件1、電源：220V?10%，50Hz?1%，單相；380V(?10%)，50Hz?1%，三相；2、配備相應(yīng)的斷電保護(hù)設(shè)備；3、環(huán)境條件：10℃~30℃，相對(duì)濕度：70%；4、直流磁場(chǎng)：水平80nT；垂直100nT；5、安裝

2、條件：獨(dú)立地線：?4歐姆；6、可不間斷連續(xù)運(yùn)行。四、主要技術(shù)指標(biāo)：1、電子槍：肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍2、點(diǎn)分辨率：≤0.19nm3、線分辨率：≤0.102nm4、加速電壓：80100120160200kV（100V步可調(diào)）5、加速電壓穩(wěn)定度：≤2ppmmin(峰峰值)6、物鏡最小聚焦步長(zhǎng)：≤1.8nm7、物鏡球差系數(shù)：≤1.2mm8、色差系數(shù)：≤1.4mm9、物鏡電流穩(wěn)定性：≤2ppmmin10、最小束斑尺寸：透射模式(TEM)：?2nm；

3、微區(qū)分析模式(EDSNBDCBD模式)：?0.5nm11、電子衍射：最大會(huì)聚角(CBED)≥100mrad(全角)12、掃描透射(STEM)1).探頭：高角環(huán)形暗場(chǎng)探頭（HAADF）2).分辨率：≤0.2nm3).最大HAADFSTEM接收角：≥134).亮度：≥4107Acm2sr5).束流：1nm束斑電流≥0.5nA6).能量分辨率：加速電壓200kV下為0.7eV或更低7).束斑漂移：1nmmin8).放大倍數(shù)：優(yōu)于50～100萬

4、倍；放大倍數(shù)重復(fù)性：10%9).相機(jī)長(zhǎng)度：80～2000mm4).有效像素尺寸：優(yōu)于9?m?9?m5).讀取速度：優(yōu)于12幅秒6).耦合方式：1:1光纖耦合7).CCD機(jī)頭采用可伸縮設(shè)計(jì)，有效保護(hù)探頭，并且便于今后儀器的擴(kuò)展8).CCD有效面積：≥36mm?24mm9).曝光時(shí)間：1ms~100s10).操作電壓：最高達(dá)200Kev11).動(dòng)態(tài)范圍：14位12).閃爍器：高分辨多晶體磷13).相機(jī)具有自動(dòng)保護(hù)功能，便于今后儀器的擴(kuò)展14

5、).免費(fèi)提供CCD圖像采集和圖像處理軟件15).圖像存儲(chǔ)模式：可與tiff格式、jpg格式、emf格式、bmp格式、gif格式等轉(zhuǎn)換16).具備電子衍射花樣分析及其它必要的配套軟件，可進(jìn)行動(dòng)態(tài)原位實(shí)驗(yàn)觀察和記錄17).配有19”液晶顯示器及其通訊接口的專用品牌電腦一臺(tái)，內(nèi)存不低于2G，硬盤不低于300G18).有自動(dòng)聚焦，自動(dòng)消像散，圖像拼接功能18、能譜儀19).探頭類型：電制冷硅漂移(SDD)探測(cè)器，F(xiàn)ET和SDD芯片一體化，無需其

6、他輔助制冷，無震動(dòng)20).在中國(guó)有TEM電制冷能譜用戶且連續(xù)正常工作三年以上21).能夠?qū)υ剡M(jìn)行點(diǎn)、線、面成份的定性和定量分析22).分辨率：MnKa保證優(yōu)于127eV(?100000cps時(shí)測(cè)量)，峰背比優(yōu)于20000:123).探測(cè)器自動(dòng)伸縮設(shè)計(jì)，避免高能雜散信號(hào)的攻擊，保護(hù)能譜探測(cè)器24).系統(tǒng)穩(wěn)定性：100000cps以內(nèi)輸入計(jì)數(shù)譜峰偏移不超過1eV25).探測(cè)芯片有效探測(cè)面積：?30mm226).元素探測(cè)范圍：優(yōu)于B(5)～