微電子學考試題庫及答案

1、1、PN結電容可分為過渡區(qū)電容和擴散電容兩種，它們之間的主要區(qū)別在于擴散電容產(chǎn)生于過渡區(qū)外的一個擴散長度范圍內(nèi)，其機理為少子的充放電，而過渡區(qū)電容產(chǎn)生于空間電荷區(qū)，其機理為多子的注入和耗盡。2、當MOSFET器件尺寸縮小時會對其閾值電壓VT產(chǎn)生影響，具體地，對于短溝道器件對VT的影響為下降，對于窄溝道器件對VT的影響為上升。4、硅絕緣體SOI器件可用標準的MOS工藝制備，該類器件顯著的優(yōu)點是寄生參數(shù)小，響應速度快等。5、PN結擊穿的機制

2、主要有雪崩擊穿、齊納擊穿、熱擊穿等幾種，其中發(fā)生雪崩擊穿的條件為VB6Egq。6、當MOSFET進入飽和區(qū)之后，漏電流發(fā)生不飽和現(xiàn)象，其中主要的原因有溝道長度調制效應，漏溝靜電反饋效應和空間電荷限制效應。8、熱平衡時突變PN結的能帶圖、電場分布，以及反向偏置后的能帶圖和相應的IV特性曲線。答案：見最后附件7、截止頻率。答案：對于共基極接法，截止頻率即共基極電流增益下降到低頻時的倍時所對應的頻率值，對于共射極接法，截止頻率是指共射極電流增

3、益下降到倍時所對應的頻率值，其中有。1、如何提高晶體管的開關速度？答案：晶體管的開關速度取決于開關時間，它包括開啟時間和關斷時間，綜合考慮，提高速度的主要措施有：（1）采用摻金工藝，以增加復合中心，加速載流子的耗散，降低存儲時間；（2）降低外延層的電阻率，以降低；（3）減小基區(qū)寬度，降低基區(qū)渡越時間；（4）減小發(fā)射結結面積，以減小和，從而減小延遲時間；（5）適當控制并選擇合適的工作條件。3、改善晶體管頻率特性的主要措施。答案：（1）降低

4、基區(qū)渡越時間，如減小基區(qū)寬度等；（2）降低發(fā)射區(qū)渡越時間，如減小，增加發(fā)射區(qū)少子的擴散長度，作較陡的雜質分布，以減小減速場的作用；（3）降低發(fā)射結充放電時間和集電結充放電時間，如減小發(fā)射結與集電結的面積等；（4）降低，如降低集電極電阻率，但會降低集電區(qū)的擊穿電壓；（5）降低，如降低發(fā)射結面積；（6）降低，如降低和等2、熱平衡時突變PN結的能帶圖、電場分布，以及反向偏置后的能帶圖和相應的IV特性曲線。（上題中已經(jīng)回答，此處略）1純凈半導體