模擬電子技術基礎知識匯總

1、模擬電子技術模擬電子技術第一章第一章半導體二極管半導體二極管一.半導體的基礎知識半導體的基礎知識1.1.半導體半導體導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅如硅SiSi、鍺、鍺Ge)Ge)。2.2.特性特性光敏、熱敏和摻雜特性。光敏、熱敏和摻雜特性。3.3.本征半導體本征半導體純凈的具有單晶體結構的半導體。純凈的具有單晶體結構的半導體。4.4.兩種載流子兩種載流子帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為

2、載流子。帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.5.雜質(zhì)半導體雜質(zhì)半導體在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。體現(xiàn)的是半導體的摻雜特性。PP型半導體型半導體:在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。NN型半導體型半導體:在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）在本

3、征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6.6.雜質(zhì)半導體的特性雜質(zhì)半導體的特性載流子的濃度載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關。多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關。體電阻體電阻通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。通常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。轉(zhuǎn)型轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。7.7.PN

4、PN結PNPN結的接觸電位差結的接觸電位差硅材料約為硅材料約為0.6~0.8V0.6~0.8V，鍺材料約為，鍺材料約為0.2~0.3V0.2~0.3V。PNPN結的單向?qū)щ娦越Y的單向?qū)щ娦哉珜?，反偏截止。正偏導通，反偏截止?.8.PNPN結的伏安特性結的伏安特性二.半導體二極管半導體二極管?微變等效電路法微變等效電路法三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓二極管的特性穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時處在正常工作時處在PNP

5、N結的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連結的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。接。第二章第二章三極管及其基本放大電路三極管及其基本放大電路一.三極管的結構、類型及特點三極管的結構、類型及特點1.1.類型類型分為分為NPNNPN和PNPPNP兩種。兩種。2.2.特點特點基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸