電力電子技術(shù)-電力電子試題庫(kù)全08自動(dòng)化分解

1、1第一章電力電子器件填空題(每空1分)1、普通晶閘管內(nèi)部有PN結(jié)外部有三個(gè)電極，分別是極極和極。2、晶閘管在其陽(yáng)極與陰極之間加上電壓的同時(shí)，門(mén)極上加上電壓，晶閘管就導(dǎo)通。3、、晶閘管的工作狀態(tài)有正向狀態(tài)，正向狀態(tài)和反向狀態(tài)。4、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KP50—7的，其中KP表示該器件的名稱(chēng)為，50表示，7表示。5、只有當(dāng)陽(yáng)極電流小于電流時(shí)，晶閘管才會(huì)由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止。6、GTO的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為；GTR的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為；PMOSFET

2、的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為；IGBT的全稱(chēng)是，圖形符號(hào)為。7、GTO的關(guān)斷是靠門(mén)極加出現(xiàn)門(mén)極來(lái)實(shí)現(xiàn)的。8、大功率晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)，通常指耗散功率以上的晶體管。9、功率場(chǎng)效應(yīng)管是一種性能優(yōu)良的電子器件，缺點(diǎn)是和。10、目前常用的具有自關(guān)斷能力的電力電子元件有、、、幾種。11、普通晶閘管的圖形符號(hào)是，三個(gè)電極分別是，和晶閘管的導(dǎo)通條件是；關(guān)斷條件是.。12、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱(chēng)：電力晶體管；可關(guān)斷晶閘管；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管；絕緣柵雙極型晶體管；I

3、GBT是和的復(fù)合管。13、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是、和。14、當(dāng)溫度降低時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì)、正反向漏電流會(huì)；當(dāng)溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì)、正反向漏電流會(huì)。3A一個(gè)，B二個(gè)，C三個(gè)，D四個(gè)2、晶閘管在電路中的門(mén)極正向偏壓（B）愈好。A愈大，B愈小，C不變3、晶閘管兩端并聯(lián)一個(gè)RC電路的作用是（）。A分流，B降壓，C過(guò)電壓保護(hù)，D過(guò)電流保護(hù)。4、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（）。A高，B低，C好。5、晶閘管變流器接直流電動(dòng)機(jī)的拖動(dòng)系

4、統(tǒng)中，當(dāng)電動(dòng)機(jī)在輕載狀況下，電樞電流較小時(shí)，變流器輸出電流是（）的。A連續(xù)，B斷續(xù)，C不變。6、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（）來(lái)表示的。A有效值B最大值C平均值7、下列半導(dǎo)體器件中屬于電流型控制器件的是。（）A、GTRB、MOSFETC、、IGBT。四、問(wèn)答題（每小題5分，共計(jì)55分）1.晶閘管的導(dǎo)通條件是什么導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定2.晶閘管的關(guān)斷條件是什么如何實(shí)現(xiàn)晶閘管處于阻斷狀態(tài)時(shí)其兩端的電壓

5、大小由什么決定3.溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流、正反向漏電流、維持電流以及正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓如何變化？4.晶閘管的非正常導(dǎo)通方式有哪幾種？5.請(qǐng)簡(jiǎn)述晶閘管的關(guān)斷時(shí)間定義。6.試說(shuō)明晶閘管有哪些派生器件？7.某晶閘管型號(hào)規(guī)格為KP2008D，試問(wèn)型號(hào)規(guī)格代表什么意義8.什么叫GTR的一次擊穿什么叫GTR的二次擊穿9.怎樣確定GTR的安全工作區(qū)SOA10.GTR對(duì)基極驅(qū)動(dòng)電路的要求是什么？11.緩沖電路的作用是什么？關(guān)斷緩沖與開(kāi)通緩