復旦大學2019年全國碩士研究生招生考試882半導體器件原理考試大綱

1、復旦大學復旦大學2019年全國碩士研究生招生考年全國碩士研究生招生考試882半導體器件原理考試大綱半導體器件原理考試大綱科目代碼882科目名稱半導體器件原理一、考試內容范圍1pn結的頻率特性與開關特性1.1pn結直流特性1.2pn結的頻率特性1.2.1交流小信號下的pn結少子分布1.2.2擴散電流1.2.3交流小信號導納1.2.4交流小信號等效電路1.3pn結的開關特性1.3.1pn結二極管的開關作用1.3.2導通過程1.3.3關斷過程

2、2雙極型晶體管2.1基本結構、制造工藝和雜質分布2.1.1晶體管的基本結構2.1.2制造工藝2.1.3雜質分布2.2電流放大原理2.2.1放大條件2.2.2電流傳輸2.2.3共基極電流放大系數(shù)2.2.4共射極電流放大系數(shù)2.3直流特性2.3.1晶體管中的少子分布2.3.2理想晶體管的電流電壓方程2.3.2.1少子分布2.3.2.2電流密度2.3.2.3Ie、Ib、Ic表達式2.3.3放大系數(shù)表達式2.3.4理想晶體管的輸入、輸出特性2.

3、3.4.1共基極2.3.4.2共射極2.3.5晶體管的非理想現(xiàn)象2.6.5.2.1少子分布與少子電流2.6.5.2.2直流增益2.6.5.2.3Early效應2.6.5.3頻率特性2.6.5.3.1連續(xù)性方程解基區(qū)渡越時間2.6.5.3.2漂移速度解基區(qū)渡越時間2.6.5.3.3擴散電容解基區(qū)渡越時間2.6.6異質結雙極型晶體管2.6.6.1結構2.6.6.2理想異質結能帶圖2.6.6.3工作原理2.7開關特性2.7.1晶體管的開關作用

4、2.7.1.1晶體管的工作區(qū)2.7.1.2截止區(qū)和飽和區(qū)的少子分布2.7.1.3晶體管的開關作用2.7.1.4晶體管的開關過程2.7.1.5晶體管開關過程中的少子分布2.7.2電荷控制理論和晶體管開關時間2.7.2.1電荷控制理論2.7.2.2開關時間2.7.2.2.1延遲時間2.7.2.2.2上升時間2.7.2.2.3儲存時間2.7.2.2.4下降時間2.7.2.2.5提高開關速度的途徑2.7.2.2.6正向壓降和飽和壓降3MOSFE

5、T的基本特性3.1MOSFET的結構和工作原理3.1.1MOSFET簡介3.1.2MOSFET的結構3.1.3MOSFET的基本工作原理3.1.4MOSFET的分類和符號3.1.5MOSFET的輸出特性和轉移特性3.2MOSFET的閾值電壓3.2.1半導體的表面狀態(tài)3.2.2閾值電壓的表達式3.2.3影響VT的因素3.2.3.1功函數(shù)差的影響3.2.3.2襯底雜質濃度NB的影響3.2.3.3界面固定電荷QSS的影響3.2.3.4離子注入