2019年哈爾濱工業(yè)大學研究生入學829《半導體物理》考試大綱

1、2019年哈爾濱工業(yè)大學研究生入學829《半導體物理》考試大綱考試科目名稱：半導體物理Ⅱ半導體物理Ⅱ考試科目代碼：[829]一、考試要求：要求考生系統(tǒng)地掌握半導體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導體的物理性能。要求考生對半導體的晶體結構和能帶論、載流子統(tǒng)計分布、載流子輸運過程、pn結理論、金屬半導體接觸理論、半導體光電效應等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導體的光電特性。二、考試內容：1）半導體晶體結構和能帶論a

2、:半導體晶格結構及電子狀態(tài)和能帶b:半導體中電子的運動c:本征半導體的導電機構d:硅和鍺及常用化合物半導體的能帶結構2)雜質半導體理論a:硅和鍺晶體中的雜質能級b:常用化合物半導體中的雜質能級c:缺陷、位錯能級3)載流子的統(tǒng)計分布a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分布b:本征與雜質半導體的載流子濃度c:一般情況下載流子統(tǒng)計分布d:簡并半導體4)半導體的導電性a:載流子的漂移運動與散射機構b:遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關系c:多能谷散射、耿

3、氏效應5)非平衡載流子a:非平衡載流子的注入、復合與壽命b:準費米能級c:復合理論、陷阱效應d:載流子的擴散、電流密度方程e:連續(xù)性方程6)pn結理論a:pn結及其能帶圖b:pn結電流電壓特性c:pn結電容、pn結隧道效應7)金屬半導體接觸理論a:金半接觸、能帶及整流理論b:歐姆接觸8)半導體光電效應a:半導體的光學性質（光吸收和光發(fā)射）b:半導體的光電導效應c:半導體的光生伏特效應d:半導體發(fā)光二極管、光電二極管三、試卷結構：a)考試

4、時間：180分鐘，滿分：150分b)題型結構a:概念及簡答題（60分）b:論述題（90分）c）內容結構a:半導體晶體結構和能帶論及雜質半導體理論（30分）b:載流子的統(tǒng)計分布（20分）c:半導體的導電性（20分）d:非平衡載流子（20分）e:pn結理論和金屬半導體接觸理論(30分)f:半導體光電效應(30分)四、參考書目1.劉恩科，朱秉升，羅晉升編著.半導體物理學.電子工業(yè)出版社2011.03.2.[美]施敏（S.M.Sze），半導體器