單片機單詞記憶測試器課程設(shè)計_第1頁
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文檔簡介

1、目錄第一章單詞記憶測試器的設(shè)計...................................................................................11.1硬件模塊設(shè)計................................................................................................11.1.1中央處理模塊....

2、...................................................................................11.1.2顯示模塊的硬件部分介紹......................................................................21.1.3矩陣鍵盤........................................

3、......................................................51.2電路原理圖設(shè)計.............................................................................................61.3軟件程序設(shè)計....................................................

4、.............................................71.3.1程序設(shè)計思路.......................................................................................71.3.2矩陣鍵盤的程序設(shè)計.............................................................

5、................81.3.3LCD12864顯示模塊的驅(qū)動程序.............................................................91.3.4顯示字模碼的提取..............................................................................101.3系統(tǒng)軟件主程序結(jié)構(gòu)及其函數(shù)..........

6、.............................................................111.4軟件的仿真.................................................................................................16第二章結(jié)語.............................................

7、...............................................................18附錄附錄單片機單詞記憶測試器C程序2第一章單詞記憶測試器的設(shè)計1.1硬件模塊設(shè)計本單詞記憶測試器系統(tǒng)硬件部分分為三個模塊：中央處理模塊、顯示模塊、鍵盤輸入模塊。系統(tǒng)模型圖如下：單片機中央處理模塊56矩陣鍵盤模塊LCD12864液晶顯示模塊圖1系統(tǒng)硬件模塊圖1.1.11.1.1中央處理模塊中央處理模塊中央處理模

8、塊選用STC89C52單片機系統(tǒng)組成，電路包括：STC89C52單片機、復(fù)位電路、時鐘振蕩電路。STC89C52單片機需在復(fù)位電路和時鐘振蕩電路組成的最小系統(tǒng)下工作，單片機引腳圖如圖2，外圍電路如圖3和圖4所示，時鐘電路采用頻率采用為12MHZ的晶振，C1、C2與晶振構(gòu)成了外部振蕩電路。復(fù)位電路采用電解電容與電阻串聯(lián)，當(dāng)系統(tǒng)上電時，由于電容充電，在RST端會產(chǎn)生一個高電平，高電平持續(xù)的時間由電容和電阻的值決定，當(dāng)RESET信號為低電平時

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