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1、IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用解析高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用解析引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。但是,IGBT和其它電力電子器件一樣,其應(yīng)用還依賴于電路條件和開(kāi)關(guān)環(huán)境。因此,IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和重點(diǎn),是整個(gè)裝置運(yùn)行的
2、關(guān)鍵環(huán)節(jié)。為解決IGBT的可靠驅(qū)動(dòng)問(wèn)題,國(guó)外各IGBT生產(chǎn)廠家或從事IGBT應(yīng)用的企業(yè)開(kāi)發(fā)出了眾多的IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路或模塊,如國(guó)內(nèi)常用的日本富士公司生產(chǎn)的EXB8系列,三菱電機(jī)公司生產(chǎn)的M579系列,美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IR21系列等。但是,EXB8系列、M579系列和IR21系列沒(méi)有軟關(guān)斷和電源電壓欠壓保護(hù)功能,而惠普生產(chǎn)的HCLP一316J有過(guò)流保護(hù)、欠壓保護(hù)和1GBT軟關(guān)斷的功能,且價(jià)格相對(duì)便宜,因此,本文將對(duì)其進(jìn)行研究,并給出
3、1700V,200~300AIGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。1、IGBT的工作特性的工作特性IGBT是一種電壓型控制器件,它所需要的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)功率非常小,可直接與模擬或數(shù)字功能塊相接而不須加任何附加接口電路。IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷是由柵極電壓UGE來(lái)控制的,當(dāng)UGE大于開(kāi)啟電壓UGE(th)時(shí)IGBT導(dǎo)通,當(dāng)柵極和發(fā)射極間施加反向或不加信號(hào)時(shí),IGBT被關(guān)斷。IGBT與普通晶體三極管一樣,可工作在線性放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū),其主要作為開(kāi)關(guān)器
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