半導體納晶atotio_2多孔電極制備及電色性能研究

1、西安理工大學碩士學位論文半導體納晶ATO趙康20030101摘要半導體納晶A T O ＆T i 0 2 多孔電極制備及電色性能研究學科：撾料堂作者：二正直搓導師： 爸臣擅熬援趙崖熬援答辯} I 期：! Q Q 墨．!作者( 簽名) ：導 師( 簽字) ：摘 要分別對采用回流膠溶法、液相共沉淀法制備T i 0 2 粉體與A T 0 ·納米粉體：采用非均勻成核法制各A ] D ／T i 0 2 包覆粉體以及采用印刷法制備了A T

2、o ，刖0 2 涂層電極羊¨A 1 的／T i 0 2 包覆粉體多孔涂層電極進行了研究。通過x R D 、s E M 、T E M 、x P s 、粉體電阻測試及電化學測試等分析手段，研究了A ’m 、T 1 0 2 粉、A 7 r o ／T i q 包覆粉體及其電極的相關物理性能和電致變色特性。對A T O 、T i 0 2 粉和A 1 的／T i 0 2 包覆粉體的制備及表征研究發(fā)現(xiàn)：采用同流膠溶法，通過反應溫度、膠溶時間

3、等參數(shù)的控制可以在液相中一步臺成粒徑從2 0 ．4 0 0 n m的晶態(tài)的T i 0 2 超微粉體：采用液相兆沉淀法制備A T o 納米粉體可以實現(xiàn)s b 在A 1 ’o中4 0 ．5 0 ％( m 0 1 ) 摻雜最，解決丁溶膠．凝膠方法中s b 達不到高濃度摻雜的問題：采用非均勻成核法及同流膠溶法的結合可以在同一體系中一步合成包覆型A T O ／T i 0 2 復合粉體，其殼層A T O 的粒徑可以選到I o n m 左右，渴望賦予

4、該材料更好的電色響麻速度和電荷的存儲能力。對A 1 D 、’r 1 0 2 電極和A T O ／T i 0 2 包覆粉體多孔電極的制備及性能測試表明：采用印刷法可以獲得多孔微結構特征的電極涂層。T i 0 2 涂層的離子存儲能力最佳值為2 ～3 m c ／c m 2 ，且銳鈦礦T i 0 2 的離子存儲性能較金紅石為好。A T o 涂層電極的離子存儲性能的最佳值為3 ～4 m c ／c m 2 。ⅣI ’0 ／T i 0 2 包覆粉體，