用于鐵電存儲(chǔ)器的bi,3.25la,0.75ti,3o,12薄膜生長(zhǎng)與性能研究

1、華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文用于鐵電存儲(chǔ)器的BiLaTiO薄膜生長(zhǎng)與性能研究姓名：李建軍申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：于軍20090629II華 中 科 技 大 學(xué) 博 士 學(xué) 位 論 文 在研究 V 摻雜提高 BLT 薄膜性能的基礎(chǔ)上，為了降低晶化溫度，采用紫外光輔助溶膠－凝膠法制備 BLTV 鐵電薄膜。紫外光輻照促進(jìn)了凝膠薄膜中相關(guān) C、H、O有機(jī)成分的分解， 有利于薄膜在后期退火處理過(guò)程中的晶化。 經(jīng)紫外光輻

2、照的 BLTV薄膜樣品在 650℃退火處理后表現(xiàn)出良好的鐵電性能 （2Pr 為 38.7 µc/cm2， 2Ec 為 202.4 kV/cm） 。 以形核理論為基礎(chǔ)，研究了隨著晶化溫度的升高，晶粒尺寸增加，同時(shí)形核勢(shì)壘增加，形核主要由界面形核決定，并從實(shí)驗(yàn)中觀測(cè)到 800℃晶化得到的 BLT 薄膜表現(xiàn)出與界面形核相對(duì)應(yīng)的 c 軸取向的柱狀晶粒。結(jié)合擴(kuò)散限制簇團(tuán)聚模型和反應(yīng)限制聚集模型模擬了隨著粒子數(shù)量增加對(duì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的影響。