《醫(yī)學(xué)影像設(shè)備學(xué)》doc版

1、第一章 第一章 概論 概論1、1895 年 11 月 8 日，倫琴發(fā)現(xiàn) X 射線。 2、現(xiàn)代醫(yī)學(xué)影響設(shè)備可分為影像診斷設(shè)備和醫(yī)學(xué)影像治療設(shè)備。3、現(xiàn)代醫(yī)學(xué)影像設(shè)備可分為：①X 線設(shè)備，包括 X 線機(jī)和 CT。②MRI 設(shè)備。③US 設(shè)備。④核醫(yī)學(xué)設(shè) 備。⑤熱成像設(shè)備。⑥醫(yī)用光學(xué)設(shè)備即醫(yī)用內(nèi)鏡。 第二章 第二章 X 線發(fā)生裝置 線發(fā)生裝置1、X 線發(fā)生裝置由 X 線管、高壓發(fā)生器和控制臺(tái)三部分組成。 2、固定陽(yáng)極 X 線管主要由陽(yáng)極

2、、陰極和玻璃殼組成。3、陽(yáng)極：主要作用是產(chǎn)生 X 線并散熱，其次是吸收二次電子和散亂射線。 4、陽(yáng)極頭：由靶面和陽(yáng)極體組成。靶面的作用是承受高速運(yùn)動(dòng)的電子束轟擊，產(chǎn)生 產(chǎn)生 X 線， 線，稱為曝光。5、陽(yáng)極帽：可吸收 50-60%的二次電子，并可吸收一部分散亂射線，從而保護(hù) X 線管玻璃殼并提高影像清晰度。 6、固定陽(yáng)極 X 線管的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)包括：陽(yáng)極頭、陽(yáng)極帽、可伐圈、陽(yáng)極柄。7、固定陽(yáng)極 X 線管的主要缺點(diǎn)：焦點(diǎn)尺寸大，瞬時(shí)負(fù)載功率小

3、。優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，價(jià)格低。 8、陰極：作用是發(fā)射電子并使電子束聚焦。主要由燈絲、聚焦罩、陰極套和玻璃芯柱組成。9、在 X 線成像系統(tǒng)中：對(duì) X 線成像質(zhì)量影響最大的因素之一就是 X 線管的焦點(diǎn)。10、N 實(shí)際焦點(diǎn)：指靶面瞬間承受高速運(yùn)動(dòng)電子束的轟擊面積，呈細(xì)長(zhǎng)方形。11、N 有效焦點(diǎn)：是實(shí)際焦點(diǎn)在 X 線投照方向上的投影。實(shí)際焦點(diǎn)在垂直于 X 線管長(zhǎng)軸方向的投影，稱為標(biāo)稱焦點(diǎn)。 12、一般固定 X 線管的靶角為 15°-20&

4、#176;。13、有效焦點(diǎn)尺寸越小，影像清晰度就越高。14、軟 X 線管的特點(diǎn)：①X 線輸出窗的固有濾過(guò)率小。②在低管電壓時(shí)能產(chǎn)生較大的管電流。③焦點(diǎn)小。 15、結(jié)構(gòu)：與一般 X 線管相比，軟 X 線管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：①玻窗②鉬靶③極間距離短。16、軟 X 線管的最高管電壓不超過(guò) 60kv。17、X 線管常見(jiàn)的電參數(shù)有燈絲加熱電壓、燈絲加熱電流、最高管電壓、最大管電流、最長(zhǎng)曝光時(shí)間、容量、標(biāo)稱功率、熱容量。18、N 容量：他是 X 線管在

5、安全使用條件下，單次曝光或連續(xù)曝光而無(wú)任何損壞時(shí)所能承受的最大負(fù)荷量。 19、高壓發(fā)生器的作用：①為 X 線管燈絲提供加熱電壓。②為 X 線管提供直流高壓。③如配有兩只或兩只以上 X 線管，還需切換 X 線管。 20、高壓發(fā)生器由高壓變壓器、燈絲變壓器、高壓整流器、高壓交換閘、高壓插座等高壓元器件組成。 21、燈絲變壓器是為 X 線管提供燈絲加熱電壓的降壓變壓器。22、高壓整流器是一種將高壓變壓器次級(jí)輸出的交流高壓變?yōu)槊}動(dòng)直流高壓的電子

6、元件。 第三章 第三章 診斷 診斷 X 線機(jī) 線機(jī)1、按高壓變壓器的工作頻率將診斷 X 線機(jī)分為：工頻 X 線機(jī)（50 或 60 Hz） 、中頻 X 線機(jī)（400-20kHz） 、高頻 X 線機(jī)（>20kHz） 。2、工頻 X 線機(jī)分為常規(guī) X 線機(jī)和程控 X 線機(jī)。3、單相全波整流 X 線機(jī)主要技術(shù)參數(shù)：①對(duì)電源的要求。②透視③攝影④診視床⑤點(diǎn)片架⑥攝影床⑦體層裝置。 4、單相全波整流 X 線機(jī)主要特點(diǎn)，三鈕制控制：采用 k

7、V、mA、曝光時(shí)間三參數(shù)自由選配的的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)。 5、程控 X 線機(jī)電路構(gòu)成：FSK302-1A 型程控 X 線機(jī)主要由電源伺服板、燈絲加熱版、接口板、采樣 板、CPU 板、操作顯示板等構(gòu)成。6、高頻 X 線機(jī)：工頻 X 線機(jī)具有許多不可避免的弱點(diǎn)：①體積與重量龐大②輸出波形紋波系數(shù)大、X線劑量不穩(wěn)定、軟射線成分較多。③曝光參數(shù)的準(zhǔn)確性和重復(fù)性較差。 7、HF50R 型高頻機(jī)的電路構(gòu)成：交-直變換電路、上位計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、下位計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、

8、IPM 觸發(fā)及逆變 電路、燈絲觸發(fā)及逆變電路、旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極啟動(dòng)電路、鍵盤及顯示電路、接口電路、曝光控制電路、8、I.I 為 X 線影像增強(qiáng)器。第五章 第五章 X 線計(jì)算機(jī)體層成像設(shè)備 線計(jì)算機(jī)體層成像設(shè)備1、第一代 CT 采用平移+旋轉(zhuǎn)（T/R）掃描方式。 2、第二代 CT 與第一代采用同樣的掃描方式即 T/R 掃描方式，但是將第一代的單一筆形 X 線束改為窄 扇形 X 線束，探測(cè)器數(shù)目也增加到 3-30 個(gè)。3、第三代使用旋轉(zhuǎn)+旋轉(zhuǎn)（R

9、/R）掃描方式。 4、第四代采用靜止+旋轉(zhuǎn)（S/R）掃描方式。 ，第四代掃描機(jī)探測(cè)器數(shù)目多達(dá) 600-2000 個(gè)。5、第五代 CT 為靜止+靜止（S/S）掃描方式。 6、螺旋 CT 為第六代。7、影響 CT 圖像質(zhì)量的因素：①X 線源特性和探測(cè)器性能②掃描數(shù)目和速度③圖像重建所用的算法④數(shù)據(jù)表達(dá)與顯示方法。 8、前準(zhǔn)直器的作用：控制 X 線束在人體長(zhǎng)軸平行方向上的寬度，從而控制掃描層厚度。9、后準(zhǔn)直器作用：它的狹縫分別對(duì)準(zhǔn)每一個(gè)探測(cè)器

10、，使探測(cè)器只接收垂直入射探測(cè)器的射線，盡量減少來(lái)自成像平面之外的散射線的干擾。 10、影響探測(cè)器檢測(cè)效率的因素：幾何效率和吸收效率。 11、總檢測(cè)效率η：探測(cè)器的總檢測(cè)效率是幾何效率與吸收效率的乘積，η=ηg×ηa。12、依照環(huán)上的電壓不同，滑環(huán)可分為低壓滑環(huán)和高壓滑環(huán)。13、影響圖像質(zhì)量的因素：①成像系統(tǒng)測(cè)量誤差②掃描及數(shù)據(jù)處理參數(shù)選擇不當(dāng)。第六章 第六章 磁共振成像設(shè)備 磁共振成像設(shè)備1、MRI 與其他影像設(shè)備相比具有

11、的優(yōu)點(diǎn)：①無(wú)電離輻射危害②多參數(shù)成像，可提供豐富的診斷信息③高對(duì)比度成像④MRI 具有任意方向斷層的能力⑤無(wú)需使用對(duì)比劑，可直接顯示心臟和血管結(jié)構(gòu)⑥無(wú)骨偽影干擾，顱后窩病變清晰可辨⑦可進(jìn)行功能、組織化學(xué)和生物化學(xué)方面的研究。2、MRI 設(shè)備主磁體的作用：作用于產(chǎn)生一個(gè)高度均勻、穩(wěn)定的靜磁場(chǎng)，可以是永磁體、常導(dǎo)磁體和超導(dǎo)磁體。 3、MRI 采用的永磁體分為閉合式和開(kāi)放式。4、超導(dǎo)體：某些物質(zhì)的電阻在超低溫下急劇下降為零的性質(zhì)。第七章 第七

12、章 超聲成像設(shè)備 超聲成像設(shè)備1、常用超聲頻率：1.5-10MHz。2、超聲>20Hz 為超聲。 3、超聲成像設(shè)備利用聲波的反射功能來(lái)作影像。4、超聲成像新技術(shù)：①三維超聲成像技術(shù)②超聲諧波成像技術(shù)③介入性超聲成像技術(shù)④組織彈性超聲成像技術(shù)。 5、正壓電效應(yīng)：在壓電材料的一定方向上，加上機(jī)械力使其發(fā)生形變，壓電材料的兩個(gè)受力面上將產(chǎn)生符號(hào)相反的電荷，改變用力方向，電荷的極性隨之變換，電荷密度與外加機(jī)械力大小成正比，這種 因機(jī)械力

13、作用引起表面電荷的效應(yīng)稱為正壓電效應(yīng)。6、負(fù)壓電效應(yīng)：在壓電材料表面一定方向上施加電壓，在電場(chǎng)作用下引起壓電材料形變，電壓方向改變，形變方向隨之改變，形變與外加電壓成正比，這種因電場(chǎng)作用而引起形變的效應(yīng)稱為負(fù)壓電效 應(yīng)，亦稱逆壓電效應(yīng)。 7、分類按物理結(jié)構(gòu)不同，壓電材料可分為：①壓電單晶體②壓電多晶體如壓電陶瓷③壓電高分子聚合 物④復(fù)合壓電材料，如 PDVR+PZT。8、壓電陶瓷的優(yōu)點(diǎn)：目前用的最多的是 PZT 壓電多晶體，①電聲相互轉(zhuǎn)

14、換效率高，靈敏度較高，可采用較低的激勵(lì)電壓。②易與電路匹配③性能比較穩(wěn)定④非水溶性，耐濕防潮，機(jī)械強(qiáng)度大⑤價(jià)格低廉 ⑥易于加工。 9、探頭按工作原理分為脈沖回波式和多普勒式。 10、脈沖回波式探頭包括：①單晶探頭②機(jī)械探頭③電子探頭④術(shù)中探頭⑤穿刺探頭⑥腔內(nèi)探頭。11、多普勒式：①常見(jiàn)形式為連續(xù)波和脈沖波多普勒探頭②梅花形探頭。 12、B 超的聲束掃查方式：①機(jī)械矩形掃查②機(jī)械扇形掃查③機(jī)械式徑向掃查④線陣直線掃查⑤凸陣扇形掃查⑥相控陣