片上溫度和電容測量技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體工業(yè)的快速發(fā)展，芯片的功耗變得越來越大，另外芯片溫度的分布也不均勻，研究用于監(jiān)控芯片溫度熱點的片上溫度測量技術就顯得越來越重要。片上電容測量技術既可用于建立互連線的寄生參數(shù)仿真模型又可對集成電路制造工藝進行監(jiān)控，隨著工藝節(jié)點的快速進步，其在學術界已受到了廣泛關注。
　　CMOS智能溫度傳感器是一種片上溫度測量技術。為了減小失配誤差和保證較高的輸出動態(tài)范圍，本文在0.18um CMOS工藝下，設計并流片了一種新型CMOS智

2、能溫度傳感器。和傳統(tǒng)CMOS智能溫度傳感器相比，新結構通過減少電流鏡的使用，以及在兩種運行模式之間的切換，在軍用溫度范圍內(nèi)，可使輸出達到90％動態(tài)范圍的同時，減小至少66％的失配誤差。
　　CBCM(Charge-Based Capacitance Measurement)測試結構是一種具有高精度和簡單測量過程的片上電容測量技術，可尋址CBCM測試結構還具有較快的測試速度以及較高的面積利用率等優(yōu)點。本文對CBCM基本結構的測量誤差

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