帶有熱管的新型CVD反應(yīng)器的設(shè)計(jì)和研究.pdf

1、在多晶硅產(chǎn)業(yè)中，硅烷法作為生產(chǎn)電子級(jí)高純多晶硅的新型方法有著改進(jìn)西門子法所不具備的優(yōu)點(diǎn)：硅烷的分解溫度較低、能耗少、硅烷作為原料氣容易提純、產(chǎn)出的多晶硅純度高、原料氣中硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)高（w=87.5％）、硅烷消耗少等，是一種非常有發(fā)展前景的新工藝。但是硅烷法在生產(chǎn)高純度多晶硅面臨的一個(gè)主要問題是多晶硅還原爐內(nèi)局部溫度過高（T>400℃），容易產(chǎn)生粉末硅污染硅棒，影響硅棒質(zhì)量品質(zhì)，不能夠達(dá)到電子級(jí)高純多晶硅的要求。
　　本文主要研究開

2、發(fā)一種新型的多晶硅還原爐，以彌補(bǔ)傳統(tǒng)反應(yīng)器的不足之處。新型多晶硅還原爐是在傳統(tǒng)多晶硅還原爐的基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計(jì)和開發(fā)的，對(duì)傳統(tǒng)多晶硅還原爐主要做了以下三點(diǎn)改進(jìn)：（1）在硅棒周圍增設(shè)了外壁面高度拋光的熱管；（2）爐膛內(nèi)部中央出氣口處增設(shè)了導(dǎo)流筒；（3）增加了內(nèi)插進(jìn)氣口。本文的研究重點(diǎn)是研究新型還原爐內(nèi)的流場(chǎng)及溫度場(chǎng)規(guī)律。對(duì)新型還原爐的模擬研究發(fā)現(xiàn)：導(dǎo)流筒對(duì)還原爐頂部氣體起到了收集和導(dǎo)出的作用；熱管結(jié)構(gòu)的加入也對(duì)爐內(nèi)氣體的流動(dòng)起到限制與引導(dǎo)的作