J-TEXT共振擾動場對逃逸電子輸運特性影響的數(shù)值模擬.pdf

1、托卡馬克運行過程中的逃逸電子會對第一壁材料產(chǎn)生嚴(yán)重的沖擊和破壞，外加共振擾動場是抑制逃逸電子的重要手段之一。本文主要通過數(shù)值模擬方法分析J-TEXT上共振擾動場對磁場拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的影響，進(jìn)而通過跟蹤試探電子運動軌跡分析共振擾動場對逃逸電子輸運的影響。本文的主要內(nèi)容：
　　本文采用EFIT代碼反演真實的實驗炮號得到J-TEXT平衡場，追蹤磁力線的軌跡得到共振擾動場對磁場拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的影響。通過模擬計算，共振擾動場線圈(DRMP和 SRMP)

2、會在等離子體中的有理面形成磁島，等離子體邊緣的磁島發(fā)生重疊會使磁力線被打斷重聯(lián)形成隨機(jī)層，這個隨機(jī)層只出現(xiàn)在等離子邊緣，所以磁場只是部分隨機(jī)。RMP電流越大，磁島越寬，邊緣隨機(jī)化越明顯。通過求解逃逸電子哈密頓導(dǎo)心系統(tǒng)下的運動方程得到其運動軌跡，模擬中的擾動磁場包含了外加共振擾動場以及等離子體本身的磁湍流。模擬結(jié)果表明逃逸電子的能量及運動方向都會影響逃逸電子的運動軌跡。當(dāng)電子的運動方向與環(huán)向相同時，逃逸電子向低場側(cè)漂移，而電子的運動方向與