吸波材料理想電磁參數(shù)區(qū)域的數(shù)值模擬及實驗改性研究.pdf

1、在信息技術迅速發(fā)展的時代，大量電子設備被廣泛應用，與此同時會產生大量電磁波輻射，從而嚴重影響人們的正常生活，因此，對吸波材料的研究具有非常重要的實際意義。運用吸波材料不僅能夠減少電磁波對人類的傷害，而且在武器裝備方面可以彌補隱身方面的不足，增強軍隊的作戰(zhàn)能力。由于影響吸波材料吸波性能的因素較多，研究過程中需要克服很多困難，僅僅依靠傳統(tǒng)的方法和實驗已經(jīng)無法滿足日益增長的科研需要。因此，應用計算機輔助研究可以減少實驗的盲目性、節(jié)約成本、提高

2、研究的效率。
　　本文引入傳輸線理論方法對電損耗型吸波劑和磁損耗型吸波劑的理想電磁參數(shù)區(qū)域進行了模擬研究，并通過制備PANI/Fe3O4納米復合材料對模擬結果進行驗證。以電損耗型吸波劑為研究基礎，根據(jù)傳輸線理論模擬獲得給定條件下的復介電常數(shù)的理想電磁參數(shù)區(qū)域，預測吸波劑在不同頻段下的吸波性能并找到吸波劑改性的方向。并考察厚度(d)、頻率(f)、反射率(R)等因素對理想電磁參數(shù)區(qū)域的影響。用硬模板法制備得到了平均粒徑約為800 nm

3、的PANI中空微球，通過矢量網(wǎng)絡分析儀測試其電磁參數(shù)。將測試的結果與模擬結果相結合進行分析，找到提高電損耗型 PANI電磁參數(shù)的方向進行改性，以提高其吸波性能。同樣的道理得到了磁損耗型吸波劑復磁導率的理想電磁參數(shù)區(qū)域，并分析厚度(d)、頻率(f)、反射率(R)等因素對理想電磁參數(shù)區(qū)域的影響。結果表明，純的PANI具有較高的電損耗而磁損耗較低，電磁匹配程度較差，吸波性能不理想。結合模擬結果和實驗數(shù)據(jù)得到改善PANI電磁匹配特性的方向是提高