2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、科技發(fā)展日新月異,集成電路技術(shù)已經(jīng)向更加優(yōu)異的性能穩(wěn)步提升,開關(guān)電源技術(shù)作為集成電路中不可或缺的一門,自然也隨著尖端技術(shù)的發(fā)展而擁有了更加優(yōu)良的性能。電子通訊設(shè)備,移動手持設(shè)備的快速發(fā)展使得人們對電子設(shè)備有了越來越高的要求,諸如輕量化,性能高效,速度快,功耗小等等。正是因為如此,能夠擁有優(yōu)良性能的開關(guān)電源芯片成為了越來越多的電源行業(yè)工作者們的追求。
  本文對DC/DC轉(zhuǎn)換器芯片進(jìn)行了詳細(xì)的研究并且設(shè)計了一款具有二次斜坡補償?shù)腄C

2、/DC轉(zhuǎn)換器的電路芯片。本文首先對當(dāng)今開關(guān)電源行業(yè)的背景進(jìn)行了介紹以及我國開關(guān)電源行業(yè)發(fā)展的水平以及經(jīng)濟(jì)增長趨勢。隨后對目前主流的開關(guān)電源的種類以及外圍拓?fù)浞謩e進(jìn)行了介紹,描述了工作原理以及應(yīng)用條件。重點對峰值電流模式中所需要的斜坡補償技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的分析,同時對多種斜坡補償技術(shù)分別進(jìn)行了原理分析以及剖析了各自技術(shù)的優(yōu)缺點,介紹了本文采用的二次斜坡補償技術(shù)的優(yōu)勢以及創(chuàng)新點。接下來是對本文設(shè)計的芯片內(nèi)部的各個模塊進(jìn)行單獨的原理分析以及仿真

3、驗證,包括了帶隙基準(zhǔn)電路、時鐘振蕩器、誤差放大器、以及本文采用的二次斜坡補償電路模塊,采用二次斜坡補償技術(shù)能夠提高芯片的帶載能力,使得芯片在同樣的工作條件下能夠負(fù)載更大的輸出電流,同時不需要斜坡開啟電路,在降低成本的同時設(shè)計上更加簡單。最后對芯片進(jìn)行了整體仿真,對開關(guān)電源芯片較為重要的參數(shù)進(jìn)行了仿真、分析以及驗證設(shè)計的合理性。本文均采用的是華虹NEC公司的0.35μmBCD工藝,利用了Cadence、Hspice等仿真工具,對芯片各個模

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