大功率碳化硅二極管和JFET模塊的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅(SiC)電力電子器件作為目前發(fā)展最為成熟的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，在高壓、大電流以及高頻的電力電子技術(shù)領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。目前，很多廠商都推出了商業(yè)化的碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)和碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)器件，然而，由于單極性器件的特性和碳化硅材料、器件工藝的限制，這些器件的最高電壓電流等級往往在1200V/50A以下。為了實現(xiàn)碳化硅功率器件在高壓大容量電路中的應(yīng)用，將器件并聯(lián)實現(xiàn)模塊化十分必要。
　　本

2、文首先給出了碳化硅器件外延層設(shè)計的理論方法，介紹了一種自主研制的碳化硅二極管和JFET芯片的結(jié)構(gòu)和制備流程，并且基于探針臺對這些芯片進行了測試分析。
　　然后基于以上自主研制的芯片，進行了碳化硅器件模塊化的設(shè)計和相應(yīng)的熱仿真，并且對多芯片并聯(lián)的優(yōu)化進行了討論分析，成功制備了3500V/15A的全碳化硅功率模塊、4500V/150A的碳化硅二極管模塊和4500V/50A的碳化硅JFET模塊，最后設(shè)計了JFET功率模塊的驅(qū)動電路并進行

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