六方氮化硼的制備、性能和應(yīng)用研究.pdf

1、六方氮化硼（h-BN）薄膜是一種性能優(yōu)異二維介電材料，被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。本文采用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）合成h-BN原子層薄膜，對(duì)h-BN表面PMMA殘留物的去除方法、h-BN的熱穩(wěn)定性和h-BN薄膜對(duì)Cu的保護(hù)作用作了詳細(xì)的研究，研究得出以下結(jié)論：
　　1.通過轉(zhuǎn)移，以單原子層h-BN層層堆疊的方法制備了多原子層h-BN薄膜。通過對(duì)UV-vis測(cè)試結(jié)果分析計(jì)算發(fā)現(xiàn)h-BN的光學(xué)禁帶寬度沒有隨原子層層數(shù)的增加而發(fā)生變化，

2、分析認(rèn)為產(chǎn)生這種產(chǎn)生現(xiàn)象的原因可能與原子層間的結(jié)合狀態(tài)有關(guān)，層層之間可能相互分離沒有緊密接觸，不能形成良好的機(jī)械耦合，其根本原因在于h-BN轉(zhuǎn)移過程中表面存在PMMA殘留。
　　2.通過采用丙酮溶解、還原熱處理、氧化熱處理的方法去除h-BN原子層薄膜轉(zhuǎn)移過程中的PMMA殘留物，研究發(fā)現(xiàn)，丙酮溶解和還原熱處理都不能有效去除PMMA殘留，長(zhǎng)時(shí)間的氧化熱處理可以去除PMMA殘留。
　　3.通過熱處理的方法研究h-BN原子層薄膜分別

3、在氧化氣氛、還原氣氛和惰性氣氛中的熱穩(wěn)定性，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，h-BN在650℃的氧化氣氛中熱處理1 h就會(huì)發(fā)生部分分解，不能穩(wěn)定存在，此外，h-BN在1000℃的氬氣中熱處理1 h已經(jīng)完全分解，h-BN在1000℃的還原氣氛的熱穩(wěn)定性比在1000℃的氬氣中的熱穩(wěn)定性好。
　　4.將表面生長(zhǎng)h-BN原子層薄膜的銅片和純銅片放置在不同環(huán)境中，通過能譜分析比較兩者的含氧量，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在室溫干燥空氣環(huán)境中，h-BN薄膜可以較好的保護(hù)銅片不受空氣