鋁高壓陽(yáng)極氧化多孔膜的制備、表征與應(yīng)用研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩69頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本文重點(diǎn)研究了混合酸電解液體系中,電解質(zhì)組分、濃度與鋁高壓陽(yáng)極氧化多孔膜形貌(孔徑、孔密度、孔形狀)之間的關(guān)系,并對(duì)所制備的大孔膜的應(yīng)用研究進(jìn)行了初步探討,主要研究結(jié)果如下: 1.首次采用三種或四種電解質(zhì)構(gòu)成的的混合電解液體系對(duì)鋁進(jìn)行高壓陽(yáng)極氧化(HVA),獲得了孔徑在100-500nm,孔密度為108-109個(gè)/cm2,孔形狀為圓形或規(guī)則多邊形的大孔陽(yáng)極氧化膜。高壓陽(yáng)極氧化膜(HVAF)的截面掃描電鏡(SEM)顯示,這種高壓陽(yáng)

2、極氧化多孔膜呈多孔層與致密層的雙層結(jié)構(gòu),致密層厚度約為500nm,多孔層厚度可達(dá)幾十微米,孔通道之間相互平行,且垂直于鋁基底和致密層。通過(guò)改變電解液的構(gòu)成或改變組分的含量,既可以改變鋁高壓陽(yáng)極氧化多孔膜的孔徑大小,又可以使多孔膜的孔形狀發(fā)生變化。這種直徑介于納米和微米之間的鋁高壓陽(yáng)極氧化多孔膜在材料的制備和功能性應(yīng)用方面有著廣泛的應(yīng)用前景。 2.通過(guò)在混酸液中添加一定濃度的聚四氟乙烯(PTFE)乳化液,采用高壓陽(yáng)極氧化法在鋁表面

3、獲得了PTFE/Al2O3復(fù)合氧化膜,SEM和X射線能量散射譜(EDS)分析結(jié)果表明,PTFE以納米小顆粒的形式復(fù)合進(jìn)入了HVAF的膜孔之中,當(dāng)PTFE乳化液的濃度增大到1.5ml/L,PTFE小顆粒可以完全填充膜孔。 3.在TiO2的溶膠體系中,分別采用浸漬法、直流電解法、交流電解法在HVAF膜表面直接制備納米結(jié)構(gòu)的TiO2,納米TiO2分別以納米顆粒狀、短納米柱狀,納米線狀形成在HVAF上。其中交流電解法可以在HVAF表面獲

4、得定向生長(zhǎng)的TiO2納米線,其長(zhǎng)度約為1000nm,較前兩者具有較高的比表面積,在紫外光的輻照下,TiO2納米線對(duì)0.2mM的十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)水溶液具有較好的降解作用。 4.采用陽(yáng)極極化曲線、SEM、X射線衍射(XRD)研究了鋁在混酸液中形成規(guī)則多邊形多孔膜的過(guò)程,結(jié)果發(fā)現(xiàn),鋁在四組分構(gòu)成的混酸液中,大孔HVAF的生長(zhǎng)過(guò)程大致可以分為三步:(a)伴隨著陽(yáng)極氧化電流密度的增大,鋁表面迅速形成一層阻擋層和多孔層的雙層結(jié)構(gòu)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論