高頻器件中陰極發(fā)射的研究及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì).pdf

1、本文主要研究如何提高碳納米管的發(fā)射電流密度及發(fā)射均勻性，以期應(yīng)用于高頻器件。針對(duì)發(fā)射均勻性和發(fā)射電流密度這兩個(gè)問題進(jìn)行了研究，對(duì)不同的碳管排列進(jìn)行了模擬計(jì)算，結(jié)果顯示圓環(huán)形分布的碳管發(fā)射均勻性較好；其次，研究了如何從陰極結(jié)構(gòu)上提高陰極發(fā)射電流密度，利用場(chǎng)致發(fā)射的邊緣效應(yīng)，采用將陰極分成若干小單元的方法來增加邊緣以提高場(chǎng)發(fā)射電流密度，計(jì)算結(jié)果顯示對(duì)結(jié)構(gòu)中的某些參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化可以提高發(fā)射電流密度。結(jié)果還顯示，將陰極劃分成小單元還可以提高整個(gè)陰

2、極發(fā)射的均勻性。 將碳納米管應(yīng)用于高頻器件，另一個(gè)重要問題是如何得到聚束良好的電子束，研究設(shè)計(jì)了不同的聚束電子通道。從控制電子通道出口處電子的橫向電子速度及電子分布范圍的大小來設(shè)計(jì)通道結(jié)構(gòu)，將倒置的漏斗狀的內(nèi)壁涂有絕緣材料的電子通道作為基本的電子束聚束系統(tǒng)。對(duì)四種不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了計(jì)算，并得到了一種聚束較好的結(jié)構(gòu)。 場(chǎng)發(fā)射陰極受離子轟擊是導(dǎo)致陰極發(fā)射跌落的一個(gè)重要因素，由于真空器件中所使用的消氣劑不能除去殘余氣體中的惰性氣