2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩76頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、氮化鎵(GaN)具有直接寬禁帶隙、高遷移率、高熱穩(wěn)定性和優(yōu)異光電性能等優(yōu)點(diǎn)。最近由于閃鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN比纖鋅礦GaN具有更高的晶體對稱性、更低的聲子散射,從而具有更高的電子遷移率、更高的發(fā)光效率等優(yōu)點(diǎn),使其在微納光電設(shè)備的應(yīng)用上有更大的吸引力,已經(jīng)引起越來越多的關(guān)注。而GaN微納米棒結(jié)合了GaN與微納米材料的優(yōu)點(diǎn),擁有與準(zhǔn)一維納米線結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢而在可見光光電器件中廣泛應(yīng)用。特別是在固態(tài)照明中,與二維薄膜相比,以GaN微納米棒為基礎(chǔ)的LED

2、具有更多潛在的優(yōu)勢。目前為了適應(yīng)市場對微納GaN基LED的需求,生產(chǎn)高效率、高亮度、最重要的是低成本的GaN基固態(tài)照明成為了最基本的要求。為滿足這些要求,今天推進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)是使用面積大、成本低的Si襯底和非極性GaN微納材料。
  本文針對傳統(tǒng)纖鋅礦GaN基LED電子器件出現(xiàn)的,當(dāng)電流增加到一定值后,再增加電流其 LED發(fā)光效率反而下降即‘大電流發(fā)光效率下降效應(yīng)’的問題。利用簡單易操作的化學(xué)氣相沉積法來合成自身無極性的閃鋅礦 Ga

3、N,通過對 Si襯底圖形化處理、溫度、壓力等條件的調(diào)控,合成了形貌和尺寸可控的閃鋅礦和纖鋅礦 GaN微米棒,并在此基礎(chǔ)上分別成功構(gòu)筑了全半導(dǎo)體閃鋅礦和纖鋅礦單根同質(zhì)結(jié)LED。具體研究成果如下:
  (1)針對合成閃鋅礦GaN時(shí)常常會混有纖鋅礦GaN以及生長缺陷較多的問題,我們對 Si襯底進(jìn)行圖形化處理,通過調(diào)節(jié)溫度、壓力等條件利用化學(xué)氣相沉積法成功合成了純凈的、尺寸可控的、具有規(guī)則立方體形貌的閃鋅礦 GaN微米棒。并初步解釋了生長

4、純相閃鋅礦 GaN微米棒的生長機(jī)理。同時(shí),對于光致發(fā)光測試時(shí)首次發(fā)現(xiàn)閃鋅礦GaN出現(xiàn)黃光帶進(jìn)行了發(fā)光機(jī)理的探討。
 ?。?)為后續(xù)構(gòu)筑器件進(jìn)行相關(guān)性能的對比,我們同時(shí)合成了高質(zhì)量、尺寸可控的、具有規(guī)則六方體形貌的纖鋅礦 GaN微米棒,并對其進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)構(gòu)、形貌以及光電性能的分析。
 ?。?)在成功生長出高質(zhì)量單相閃鋅礦和纖鋅礦GaN微米棒的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步成功構(gòu)筑了單根閃鋅礦同質(zhì)結(jié)LED與纖鋅礦同質(zhì)結(jié)LED。測試結(jié)果表明以閃

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論