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文檔簡介
1、氧化鋅是一種重要的寬禁帶隙(3.37eV)半導體材料，它的激子束縛能高達60meV，因此ZnO是室溫或更高溫度下具有很大應用潛力的短波長發(fā)光材料，在紫外激光發(fā)射等光電應用領域有著很高的應用價值，而一維納米結構的ZnO因其優(yōu)良的光電性質，在制作納米電子器件和納米光電子器件等許多領域表現(xiàn)出巨大的應用潛力。本文在簡略地總結了納米材料的基本特性及其應用、一維納米材料的制備及應用的基礎上，對一維納米結構ZnO在襯底上的制備生長方法、襯底的影響及其
2、光電性能進行了研究和分析。 本實驗利用離子絡合法，通過高分子(聚丙烯酰胺)配位絡合-燒結工藝在硅襯底上生長出ZnO納米線。采用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、紅外光譜(IR)等測試手段對樣品的表面形貌、結構進行了分析表征，結果表明ZnO納米線直徑約60～80nm、長度約1～2μm，為六方纖鋅礦結構，單晶，且沿c軸方向優(yōu)先生長。并著重探討了離子絡合法制備氧化鋅納米線的工藝影響因素。 通過光致發(fā)光(PL)光譜、紫外
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