短溝道MOSFET高頻噪聲特性研究.pdf

1、短溝道MOSFET因其高集成度、高性能、低功耗和低成本的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于射頻與毫米波集成電路中。作為設(shè)計(jì) CMOS低噪聲電路的基礎(chǔ)，不同工藝下其高頻噪聲模型明顯不同，因此新型器件噪聲模型的建立往往都滯后于新型器件的出現(xiàn)。用于高頻領(lǐng)域的CMOS技術(shù)的縮比進(jìn)展表明其最佳的高頻性能已從低中反區(qū)轉(zhuǎn)移至弱反區(qū)。而隨著器件尺寸的縮小，器件高頻過剩噪聲日益增加，其主要成分主要從熱噪聲轉(zhuǎn)變?yōu)樯⒘Ｔ肼暎瑐鹘y(tǒng)的長溝道噪聲模型已不能完全表征器件相關(guān)噪聲。并

2、且短溝道 MOSFET噪聲等效模型表征了器件的高頻噪聲特性，利用該模型不僅可以指導(dǎo)電路設(shè)計(jì)，而且可以指導(dǎo)芯片制造者做出更高性能的器件。本文重點(diǎn)研究短溝道 MOSFET高頻噪聲特性，主要內(nèi)容包括如下幾個(gè)方面：
　　基于40納米 MOSFET的器件物理結(jié)構(gòu)，并結(jié)合漂移-擴(kuò)散方程和電荷守恒定律，提出了基于物理的高頻漏極電流噪聲模型、感應(yīng)柵極電流噪聲模型及其與漏極電流噪聲的互相關(guān)噪聲模型，以此來統(tǒng)一表征噪聲從弱反區(qū)到強(qiáng)反區(qū)的頻率與偏置依賴