線缺陷對硅烯輸運性質(zhì)的影響.pdf

1、硅烯因其特殊的輸運性質(zhì)，近年來，在二維半導(dǎo)體材料的研究中一直是一個活躍的研究課題。本文采用緊束縛近似理論和非平衡格林函數(shù)的方法，理論計算并分析了鋸齒形邊界單層硅烯納米條帶上存在線缺陷時的電子輸運特性。
　　在硅烯納米條帶中移去一個硅原子，即形成了硅烯空位缺陷模型。外加垂直于硅烯納米條帶的電場，考慮硅烯材料本征自旋軌道耦合和Rashba自旋軌道耦合對體系的影響，利用非平衡格林函數(shù)和分通道計算透射系數(shù)的方法，探索線缺陷對硅烯納米條帶輸

2、運性質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明:線缺陷的存在使電荷局域性增強，傳輸總電導(dǎo)減小;中間導(dǎo)區(qū)寬度越大，總電導(dǎo)越大;線缺陷在中間位置時比線缺陷在上邊緣時對總電導(dǎo)的影響更大;存在線缺陷時，隨著Rashba自旋軌道耦合強度的增大和電場強度的增大，總電導(dǎo)均減小;線缺陷的存在對K谷電導(dǎo)率和K'谷電導(dǎo)率產(chǎn)生影響，但是對完美谷極化區(qū)域影響不大，可以用來制作谷閥;費米能處于體帶隙中，線缺陷對谷內(nèi)和谷間電導(dǎo)影響不大，谷內(nèi)谷間極化率仍為100％，但是當費米能增大打開