離子-表面相互作用過程x射線產(chǎn)生機制的研究.pdf

1、本工作采用能量為190keV-450kev的不同價態(tài)的Arq+(q=15～18)離子轟擊原子序數(shù)Z=4～79的金屬靶，對Ar離子的X射線發(fā)射機制進行研究。文中依次對Ar17+離子，Ar16+離子，Ar18+離子和Ar15+離子進行了分析。 主要的實驗工作及結(jié)論如下： 對Ar17+離子的K殼層X射線分支比進行分析，研究了Kβ/Kα分支比隨電荷態(tài)與能量的變化規(guī)律以及Kα和Kβ射線的平均能量。在級聯(lián)躍遷模型的框架下從理論上分析

2、了實驗結(jié)果，得到Ar17+離子退激發(fā)過程中各殼層電子躍遷信息。 對于實驗中觀測到的Ar16+離子的K殼層X射線。本文認為Ar16+離子的K殼層空穴產(chǎn)生是內(nèi)部多電子激發(fā)造成的，并計算了在本實驗條件下多電子激發(fā)的幾率。 通過對Ar16+離子與Ar17+離子X射線發(fā)射強度的對比分析，從理論上解釋了二者強度有5個量級差異的原因，證實了Ar16+離子發(fā)生多電子激發(fā)的可能性和處理問題中采用級聯(lián)躍遷模型的合理性。 對于Ar18