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文檔簡介
1、MnGa薄膜由于具有大的單軸磁晶各向異性能、高的自旋極化率、小的磁阻尼系數(shù)與易調(diào)節(jié)的飽和磁化強(qiáng)度等獨(dú)特的本征特性，同時(shí)不含稀土與貴金屬材料，其原料來源豐富、經(jīng)濟(jì)成本低，因此他是未來超高密度垂直磁記錄介質(zhì)與自旋隨機(jī)存儲(chǔ)器的侯選材料。
本文針對這一具有理論研究意義與應(yīng)用價(jià)值的MnGa薄膜材料開展研究。采用磁控濺射法在MgO（100）襯底上制備了MnGa薄膜，采用振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)與X射線衍射儀、原子力顯微鏡分析測量了MnGa薄膜的磁性
2、能、晶體結(jié)構(gòu)與表面形貌，主要研究了后退火溫度、濺射氣壓與薄膜厚度對MnGa薄膜磁性能與微結(jié)構(gòu)的影響。
研究結(jié)果表明：（1）濺射制備MnGa薄膜的Mn含量高于MnGa合金靶材的Mn含量，且Mn含量隨濺射功率的增加而增大，隨濺射氣壓的增加而減小。（2）當(dāng)后退火溫度低于500℃時(shí)，MnGa薄膜的晶粒尺寸與表面粗糙度隨后退火溫度升高緩慢增加；當(dāng)后退火溫度高于500℃時(shí)，MnGa薄膜的晶粒尺寸與表面粗糙度隨后退火溫度升高迅速增大；當(dāng)后退
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