超純水處理系統(tǒng)的研制.pdf

1、光刻工藝的變革是引起半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要因素，隨著傳統(tǒng)干式光刻過渡到浸沒式光刻，集成電路特征尺寸已經(jīng)突破了45nm。浸沒式光刻和傳統(tǒng)干式光刻的主要區(qū)別在于物鏡與硅片之間填充了一層高折射率的浸沒液，這層浸沒液就是本文需要研制的超純水。半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)以可溶性硅、電阻率、TOC、溶氧及細菌為關(guān)鍵性指標(biāo)來對超純水水質(zhì)進行表征。超純水制備技術(shù)從最初的物理蒸餾法發(fā)展到了如今以反滲透+電去離子技術(shù)相結(jié)合的先進制備工藝藝術(shù)。除此之外，隨著技術(shù)的更新與發(fā)展，

2、超純水也被應(yīng)用于各行各業(yè)，因此，市場前景廣闊，發(fā)展空間巨大。但是，目前國內(nèi)浸沒式超純水處理系統(tǒng)的工藝與美國等發(fā)達國家相比還有較大差距，研制符合浸沒式光刻技術(shù)要求的超純水處理系統(tǒng)具有重要的現(xiàn)實意義。
　　本文以設(shè)備需求方對新一代超純水處理系統(tǒng)提出的性能指標(biāo)和功能指標(biāo)為目標(biāo)，設(shè)計了符合要求的超純水處理系統(tǒng)，主要的工作包括以下內(nèi)容。
　　(1)工藝設(shè)計。通過對系統(tǒng)需求的分析，確定了符合要求的超純水處理系統(tǒng)總體設(shè)計方案，明確了電阻率

3、、溶解氧和TOC值為系統(tǒng)的關(guān)鍵性參數(shù)，進而通過理論分析、數(shù)學(xué)計算以及實驗測試，驗證了指標(biāo)的合理性。最后，對系統(tǒng)進行了動力學(xué)分析，完成了純水泵工作點的選擇。同時，對相關(guān)元器件進行了選型及采購。
　　(2)自動控制系統(tǒng)設(shè)計。在工藝原理流程圖的基礎(chǔ)上，完成了以西門子PLC為下位機，工控機為上位機的自動控制系統(tǒng)。設(shè)計了能夠?qū)鞲衅鲾?shù)據(jù)進行實時采集同時能夠控制系統(tǒng)參數(shù)的PLC程序。使用C＃編寫了友好的系統(tǒng)界面程序、通信程序和包含用戶信息、系