耦合量子點(diǎn)分子中激子的動力學(xué)行為.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于晶體生長技術(shù)的發(fā)展，人們對量子阱、量子點(diǎn)等低維量子結(jié)構(gòu)的理論和實驗研究越來越廣泛。半導(dǎo)體量子點(diǎn)是繼超晶格、量子阱之后發(fā)展起來的一種介觀體系?；诹孔狱c(diǎn)的量子器件，以其獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)性能和極低功耗，在納米電子學(xué)、光電子學(xué)等領(lǐng)域有著極其廣泛的應(yīng)用前景。在很多文獻(xiàn)中都討論了受限量子點(diǎn)中載流子的性質(zhì)，研究了量子點(diǎn)形狀以及量子點(diǎn)與周圍襯底的介電常數(shù)對載流子的影響，而外加驅(qū)動場對載流子的影響的研究比較少，因此有必要深入地研究外加驅(qū)動場對量子點(diǎn)

2、中載流子的影響。 在這篇文章中我們研究了直流和交流電場驅(qū)動下耦合雙量子點(diǎn)分子中電子一空穴系統(tǒng)的動力學(xué)行為。利用兩點(diǎn)Hubburd模型和Floquet理論，用數(shù)值方法求解了含時SchSdinger方程，給出了電子一空穴局域于初始態(tài)的幾率在20個驅(qū)動周期內(nèi)的最小值P<,min>討論了電子一空穴間庫侖相互作用為零、僅交流電場存在、直流和交流電場共同存這三種情況，研究了庫侖相互作用、直流電場、交流電場對耦合雙量子點(diǎn)分子中電子一空穴系統(tǒng)的

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