白光LED用紅色熒光粉鉬酸鹽的制備及發(fā)光性質(zhì)的研究.pdf

1、自從藍(lán)光發(fā)射的GaNLED合成之后，白光LED越來越引起人們的關(guān)注。利用GaNLED發(fā)出的藍(lán)光和可被藍(lán)光激發(fā)的 YAG:Ce3+熒光粉發(fā)出的黃光合成白光LED。但是這種白光照明系統(tǒng)是由于缺少紅光，其顯色指數(shù)不好。目前另一種實現(xiàn)白光LED的方法是用近紫外光的LED芯片（NUV-LED）和可被近紫外光有效激發(fā)而發(fā)射紅、綠、藍(lán)三基色的熒光粉結(jié)合組成白光LED。但目前尚缺少能夠被現(xiàn)有的藍(lán)光和紫外光 LED芯片有效激發(fā)的高效紅色熒光粉,因此開發(fā)能

2、夠被藍(lán)光和紫外光芯片有效激發(fā)的紅色熒光粉是白光LED發(fā)展的關(guān)鍵因素。本論文的主要研究內(nèi)容如下：
　　1.采用共沉淀法制備了不同 Eu3+離子摻雜濃度的 Gd(1-x)2(MoO4)3:EuX3+（x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8）納米發(fā)光材料，通過對納米材料樣品的X射線衍射譜（XRD），激發(fā)光譜和發(fā)射光譜的分析。其結(jié)果表明樣品的相是α相，通過Gd2(MoO4)3:Eu3+樣品的激發(fā)光譜，能夠觀測到在激發(fā)光譜中,

3、寬帶是由 Eu3+→O2+和Mo6+→O2-的電荷遷移帶組成，其中Eu3+→O2+的電荷遷移帶的中心為266nm，Mo6+→O2-的電荷遷移帶的中心為290nm?？梢妳^(qū)的窄帶為Eu3+的吸收峰。在發(fā)射光譜中觀測到 Eu3+：5D0→7FJ(J=0~4)的躍遷。Eu3+的最大摻雜濃度為60％，且色度坐標(biāo)(0.64,0.35)幾乎接近國際標(biāo)準(zhǔn)值(x=0.67,0.33)。有此可見，Eu3+摻雜的Gd2(MoO4)3納米熒光粉有潛力成為高效的

4、近紫外（藍(lán)光）激發(fā)白光LED用紅色熒光粉材料。
　　2.采用共沉淀法制備了YMoO4:Eux3+（x=0.01，0.05，0.07，0.1，0.12，0.15，0.2）熒光粉，通過對納米材料樣品的X射線衍射譜（XRD）和掃描電鏡（SEM）照片的觀察分析，對樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征,測量了各樣品的發(fā)射光譜、激發(fā)光譜。計算了樣品YMoO4:Eu0.153+的色坐標(biāo)為（0.66,0.33）幾乎接近國際標(biāo)準(zhǔn)值(0.67,0.33)，樣品

5、YMoO4:Eu0.153+中Eu3+摻雜離子發(fā)光的最大濃度為15%。
　　3.采用共沉淀法制備了不同 Sm3+離子摻雜濃度的 CaMoO4:Eu0.13+,Sm3+x（x=0,0.01，0.02，0.03，0.04，0.05，0.06，0.08）納米發(fā)光材料，通過對納米材料樣品的 X射線衍射譜（XRD）和掃描電鏡（SEM）照片的觀察分析，對樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征，測量了各樣品的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜。分別計算了樣品CaMoO4:

6、Eu0.13+和CaMoO4:Eu0.13+,Sm3+0.05的色坐標(biāo)為（0.661，0.329），(0.667,0.328)，其結(jié)果接近國際標(biāo)準(zhǔn)值(x=0.67,0.33)。樣品CaMoO4:Eu3+中摻雜Sm3+離子發(fā)光的最大濃度為5%，對Sm3+離子摻雜的CaMoO4:Eu3+納米發(fā)光材料的光致發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行了研究。實驗結(jié)果表明：Sm3+離子的摻雜能夠?qū)崿F(xiàn)Sm3+和Eu3+之間的能量傳遞，從而增強Eu3+的紅光發(fā)射。CaMoO4:E