1000kV GIS變電站特快速暫態(tài)過(guò)電壓的仿真研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、由于超高壓和特高壓輸電技術(shù)逐漸發(fā)展，每級(jí)變電站通常采用的是全封閉氣體絕緣變電站(GIS，Gas Insulated Switchgear)設(shè)施。在通常操作GIS中的隔離開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)有一種特快速暫態(tài)過(guò)電壓(VFTO，Very Fast Transient Overvoltage)，它具有高幅值、大頻率、較少的波動(dòng)時(shí)間等特征。它導(dǎo)致GIS本體和一些相關(guān)的電氣設(shè)備容易發(fā)生絕緣安全問(wèn)題，極大地增加了電氣絕緣擊穿等事故發(fā)生的概率。因此，對(duì)特高壓輸電系

2、統(tǒng)GIS中特快速暫態(tài)過(guò)電壓展開(kāi)深入研究是極其重要的。
　　本文主要研究VFTO的產(chǎn)生及其影響因素，并探究幾種抑制VFTO的有效措施。本文選取1000kV特高壓輸電系統(tǒng)GIS變電站中產(chǎn)生的VFTO作為研究對(duì)象，在ATPDraw中建立仿真模型，仿真出GIS的隔離開(kāi)關(guān)合閘時(shí)所產(chǎn)生的VFTO的波形，并作詳細(xì)的研究分析。重點(diǎn)研究影響GIS各關(guān)鍵設(shè)備VFTO的主要因素，包括入口電容、GIS的支路長(zhǎng)度和開(kāi)關(guān)弧道電阻，在原仿真模型的基礎(chǔ)上，改變各

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