二硫化錫層狀材料的取向控制及其光電器件的研究.pdf

1、由于平面半導體制造工藝的要求，對層狀過渡硫族材料取向控制的研究勢在必行。本論文中，我們有效地實現了對二硫化錫生長取向的控制，并進一步探究了光電場效應晶體管的相關應用。具體內容如下：
　?。?）水平和豎直兩種取向的二硫化錫可以通過不同的基底來調控其生長。二維基底（例如云母、石墨烯等）可以通過范德華外延成功的生長出水平取向的二硫化錫。而由于懸掛件的阻擋效應，三維基底能夠生長出豎直取向的二硫化錫。與此同時我們進行的二次生長的實驗進一步證

2、實了我們對于取向生長機理的解釋。
　?。?）隨后我們將水平取向的二硫化錫制備成背柵極場效應晶體管，該場效應晶體管的電子遷移率以及電流開關比分別能夠達到4 cm2V-1s-1和105。但其相應的光電場效應晶體管僅有1.3的光電開關比，暗電流處于較大的微安量級，而響應時間更是達到了秒級。這種緩慢的響應主要是硫空位缺陷而引起的長壽命載流子的復合而造成的。
　?。?）在此基礎上我們將生長的二硫化錫在飽和硫氣氛中進行退火處理，以達到抑