雙勢壘拋物量子阱阱寬對電子磁隧穿的影響.pdf

1、自江崎和朱兆祥提出超晶格概念以來,半導(dǎo)體超晶格和量子阱中的電子輸運現(xiàn)象就成為國際熱點之一。尤其是共振隧穿,人們可以沿平行于、垂直于或傾斜于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)生長方向施加磁場。同樣在半導(dǎo)體生長技術(shù)的發(fā)展下,量子阱可以做成各種形狀,諸如方型、拋物型、三角型等。
　　本文詳盡研究了由AιGa1-χAs/GaAs材料構(gòu)成的雙勢壘拋物量子阱中電子在橫向磁場中的隧穿問題,計算并模擬了對稱結(jié)構(gòu)和非對稱結(jié)構(gòu)關(guān)于阱寬對電子隧穿的傳輸系數(shù)的影響。橫向磁場對

2、電子隧穿過程的影響較為復(fù)雜,主要原因是由于電子橫向動量守恒被破壞。我們采用轉(zhuǎn)移矩陣理論計算了對稱結(jié)構(gòu)和非對稱結(jié)構(gòu)對于各種阱寬的傳輸系數(shù)。發(fā)現(xiàn)隨著隨著阱寬的增加,共振峰逐漸向低能方向移動。阱寬較小時,變化劇烈;阱寬較大時,變化緩慢。隨著阱寬的增加,共振峰逐漸增多,共振峰由平緩逐漸變尖銳,共振峰之間的間距逐漸減小。對稱結(jié)構(gòu)較非對稱結(jié)構(gòu)共振峰更尖銳,更易產(chǎn)生共振隧穿現(xiàn)象。對于一定的阱寬,沿異質(zhì)結(jié)生長方向施加的橫向磁場致使共振峰向高能級移動,這