太赫茲半導體探測器、發(fā)射器和功率放大器的制備及性能研究.pdf

1、太赫茲波是指頻率為0.1～10 THz(1 THz=1000 GHz)的電磁波輻射，其頻率介于微波和紅外之間。由于以前產(chǎn)生和探測太赫茲頻率的電磁輻射無論在電子學還是在光學領域中都有非常大的困難，導致人們對這個頻段的電磁波的性質(zhì)認識和應用都非常少，所以太赫茲頻段又常被稱為“太赫茲空隙”(THz gap)。最近十幾年，隨著被發(fā)現(xiàn)在國防、超高速無線通信、物相分析、宇宙光譜學和安檢成像等領域有非常重要的潛在應用，太赫茲波迅速得到了大家的廣泛重視

2、。一直以來嚴重阻礙人們對于太赫茲波的研究和應用的最大問題是缺乏合適的太赫茲源和探測器。目前已有的太赫茲設備或器件大多存在體積龐大、造價昂貴、需要極低的工作溫度等問題，無法大規(guī)模應用。近年來，得益于微電子領域半導體材料的生長技術和微納加工工藝的飛速發(fā)展，利用高速半導體器件實現(xiàn)太赫茲的發(fā)射和探測已經(jīng)成為可能。半導體太赫茲器件具有成本低、體積小、功耗低、效率高、可集成等諸多優(yōu)勢，因而高性能半導體太赫茲器件的研制被大家公認為是未來能夠推動太赫茲

3、技術發(fā)展與應用的重要動力。
　　本論文針對目前國內(nèi)外太赫茲半導體器件研究、發(fā)展的現(xiàn)狀，以新型平面半導體器件為主要研究方向，利用微納加工技術，成功制備了太赫茲平面半導體探測器、發(fā)射器和功率放大器，并系統(tǒng)的研究了器件的工作原理、直流和高頻特性以及對器件性能優(yōu)化提升的方法。主要研究內(nèi)容如下:
　　1)制備了高性能太赫茲平面半導體探測器-自開關二極管(SSD)，并研究了提高其響應度的方法。在高遷移率半導體材料上制備的SSD由于寄生電

4、容小，工作頻率最高可達1.5 THz，但是器件響應度不高。本論文研究了通過在SSD溝槽中填充電介質(zhì)材料的方法提高SSD響應度，并對比了PMMA和SiO2兩種介質(zhì)材料對器件直流和高頻性能的影響。實驗結果發(fā)現(xiàn)在用PMMA填充SSD溝槽后，器件直流I-V曲線中的開關比顯著提高、器件的線性度明顯改善、器件的高頻響應度有大幅度提升，測得的最高響應度達到1650 mV/mW，比未填充PMMA的SSD提高了一個數(shù)量級。
　　2)研究了利用干法刻

5、蝕制備SSD的工藝以及刻蝕掩膜對器件性能的影響。首次提出了使用無損傷的熱蒸發(fā)法沉積的一氧化硅(SiO)做刻蝕掩膜來提高器件高頻性能的方法。SSD的整流特性依賴于寬度只有幾十納米的溝道和溝槽。之前器件制備時主要利用濕法工藝刻蝕溝槽，因此存在重復性差，邊緣粗糙，側壁不垂直等問題。雖然也有利用干法刻蝕制備SSD的報道，但器件性能普遍不佳。本論文中通過分析發(fā)現(xiàn)刻蝕掩膜對于干法刻蝕制備的SSD的性能有明顯的影響。在對比研究旋涂法制備的有機光刻膠掩

6、膜和等離子體方法沉積的無機掩膜所存在的問題后，我們首次提出了用熱蒸發(fā)的SiO做微納加工的干法刻蝕掩膜。熱蒸發(fā)的SiO晶粒小、平整度好，耐刻蝕能力強，非常適合做刻蝕掩膜材料。更重要的是和其它無機掩膜采用的濺射或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)等方法比，SiO的熱蒸發(fā)沉積方式不會對半導體材料表面造成損傷。因此使用熱蒸發(fā)的SiO做刻蝕掩膜可以顯著提高載流子靠近表面（如二維電子氣）的半導體器件的性能。實驗中通過與旋涂的PMMA和濺射的Si

7、O2做對比，發(fā)現(xiàn)利用熱蒸發(fā)的SiO刻蝕掩膜制備的SSD不但刻蝕圖形形貌良好，器件的高頻性能也有明顯的提高。用SiO掩膜制備的器件在220 GHz的頻率下的響應度比用另外兩種掩膜制備的器件的響應度高1到2個量級，等效噪音功率低超過1個量級。通過對制備的Hall bar做霍爾測試，發(fā)現(xiàn)用SiO掩膜刻蝕的溝道中的載流子的濃度和遷移率都高于用濺射SiO2掩膜刻蝕的溝道，尤其是載流子遷移率高了一倍。這充分說明了熱蒸發(fā)法沉積的SiO在提升高頻微納器

8、件性能方面具有明顯的幫助作用。
　　3)研究了InGaAs SSD表面氧化層的處理對溝道表面耗盡區(qū)寬度和費米能級釘扎效應的影響。InGaAs材料由于表面氧化等原因，存在大量的表面態(tài)，這些表面態(tài)對納米寬度的SSD溝道有直接的影響。本論文通過測試SSD的電導率與溝道寬度的關系，得出了SSD表面耗盡區(qū)寬度為46 nm。進一步研究發(fā)現(xiàn)用酸去除表面氧化層后表面耗盡區(qū)寬度會增加至74 nm，而用氧等離子體對表面進行氧化處理后耗盡區(qū)寬度則會降低

9、至35nm。這說明InGaAs材料表面耗盡層寬度會隨半導體表面狀態(tài)的改變而發(fā)生明顯變化，分析發(fā)現(xiàn)這種變化與表面態(tài)密度的改變以及費米能級釘扎位置的移動有關。
　　4)研究了GaN納米器件的加工工藝，并成功制備了基于GaN SSD的太赫茲探測器。GaN材料作為新一代寬禁帶半導體的代表，具有耐高溫、耐擊穿、耐輻射等優(yōu)點，在太空、軍事等領域都有巨大的應用前景。SSD具有結構簡單、工作頻率高的特點。將兩者結合可以充分發(fā)揮其各自的優(yōu)勢。本論文

10、研究了GaNSSD的制備工藝和器件性能。利用熱蒸發(fā)的SiO做掩膜的干法刻蝕工藝實現(xiàn)了寬度僅30nm，深度達135 nm的SSD溝槽，而且刻蝕邊緣清晰平直，底部平整。GaN SSD的高頻測試結果證實其工作頻率超過220 GHz，而且具有良好的線性響應度，證明GaN SSD可以作為太赫茲探測器。本論文同時也對GaN SSD未來在器件性能優(yōu)化方面的研究方向做了論述。
　　5)設計和制備了基于平面耿氏二極管(PGD)的高頻大功率太赫茲源，

11、并提出了一種基于共平面波導(CPW)的二維諧振腔。半導體異質(zhì)結PGD是近十年才被發(fā)現(xiàn)其優(yōu)勢特點并開始研究的。目前報道的器件基頻工作頻率已超過300 GHz，遠超傳統(tǒng)垂直耿氏二極管，有望在未來成為廣泛應用的太赫茲半導體發(fā)射器。但是目前PGD的發(fā)射功率仍然偏低。本論文通過研究優(yōu)化半導體異質(zhì)結襯底結構以及器件的結構和制備工藝，大幅度提升了器件的微分負阻效應。器件在微分負阻區(qū)電流峰谷比達到1.25，超過了文獻報道的最高值。同時借助于三維電磁場仿

12、真，在本論文中提出了一種基于CPW的二維諧振腔。將其于PGD上后，成功制備出發(fā)射頻率超過100 GHz，發(fā)射功率遠超文獻報道，達到0.8 mW的太赫茲發(fā)射源。這是首次將PGD的發(fā)射功率提高到毫瓦量級。另外發(fā)射器的相噪音和頻率的穩(wěn)定性等指標也得到了明顯的提升。測得的相噪音只有-107 dBc/Hz，比文獻報道的同類型器件低30dB。發(fā)射頻率隨直流偏壓的漂移只有0.21 GHz/V，達到領先水平。
　　6)探究了GaN PGD的器件制

13、備工藝并討論了GaN耿氏二極管存在問題和未來的發(fā)展方向。GaN材料由于帶隙寬、耐高溫、耐擊穿，載流子飽和漂移速率高，非常適合用于制備高頻大功率耿氏器件。本論文探究了GaN PGD的制備工藝。制備的GaN PGD在電場強度達到7 V/μm后，電流隨電壓增長速度開始明顯放慢，表現(xiàn)出一定程度的飽和現(xiàn)象。GaN基太赫茲源的研制是世界難題，本論文針對GaN PGD存在的問題做了一些研究，并對未來的相關研究提出了建議。
　　7)首次提出利用平

14、面耿氏器件做太赫茲功率放大器，成功制備了工作頻率超過110GHz的平面功率放大器，并系統(tǒng)研究了放大器的各項性能。太赫茲系統(tǒng)離不開功率放大器，基于高遷移率場效應晶體管(HEMT)的功率放大器雖然目前截止頻率已經(jīng)達到0.6 THz，但是要求器件溝道長度縮短至25 nm左右以降低RC時間和電子渡越時間。如此嚴苛的要求使得器件的制備變的極其困難，也因此器件價格非常昂貴，難以大規(guī)模應用。其它的功率放大器，包括異質(zhì)結雙極性晶體管(HBT)、共振隧穿

15、二極管(RTD)等都存在大功率情況下線性度差，信號失真的問題。本論文中首次提出了一種新型太赫茲功率放大器-平面耿氏放大器。它利用耿氏器件的微分負阻效應實現(xiàn)太赫茲功率放大。通過改進器件結構及工藝，提高了器件的微分負阻效應，在InGaAs襯底上制備的平面耿氏放大器增益達到17dB，截止頻率超過110 GHz。而且器件功率特性良好，1 dB壓縮點為0 dBm，遠超HBT和RTD。研究還發(fā)現(xiàn)平面耿氏放大器的最佳工作頻率與溝道長度成反比，溝道長度

16、為300 nm的器件的工作頻率可達0.6 THz，這比具有相同頻率的HEMT器件的溝道長度大10倍左右。大的溝道尺寸可以明顯降低器件制備的難度，從而大幅度降低器件的成本。另外對平面耿氏放大器具有功率密度低、散熱好的優(yōu)勢，因此工作穩(wěn)定性也更好。實驗中在沒有對器件采取襯底減薄和加裝散熱片等垂直耿氏器件必須使用的降溫措施的情況下，器件連續(xù)工作2小時仍然保持功率增益為16 dB，波動小于0.8dB。
　　8)制備二維側柵晶體管(SGT)并

17、對器件的工作機理、等效電路、直流轉移和輸出特性等做了研究。SGT在結構和工作機理上與SSD有非常大的相似性。通過對SGT的研究可以獲得如閾值電壓、開關比、載流子遷移率、缺陷態(tài)密度、溝道電容等一些僅僅通過對SSD的測量和分析很難獲得的參數(shù)，而且利用SGT可以有針對性的研究這些參數(shù)與器件結構、制備工藝等的關系，這對于提高SSD的性能有重要的指導意義。本論文中成功制備了溝道寬度為90～150nm的SGT，測得溝道寬度為135nm的SGT的閾值