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文檔簡(jiǎn)介
1、采用射頻磁控濺射法在PEN和PET襯底上室溫制備了柔性AZO薄膜。結(jié)果表明,實(shí)驗(yàn)制備的柔性AZO薄膜為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),且具有良好的c軸擇優(yōu)取向。濺射功率、工作氣壓、襯底種類、Ar氣流量等生長(zhǎng)條件對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、光電性能有一定影響。工作氣壓增大惡化薄膜結(jié)晶性能,使薄膜電阻率增大,禁帶寬度由于Burstein-Moss效應(yīng)而變窄。在濺射功率為150W,Ar氣流量為20sccm和工作氣壓為0.05Pa的優(yōu)化條件下,PEN襯底上沉積的AZO薄膜品
2、質(zhì)因數(shù)最高,達(dá)到1.78×104Ω-1·cm-1,此時(shí)薄膜電阻率、載流子濃度和霍爾遷移率分別為1.11×10-3Ω·cm、4.14×1020cm-3和13.60 cm2·V-1·s-1,薄膜的可見光絕對(duì)透射率達(dá)到95.70％。
在優(yōu)化生長(zhǎng)的AZO薄膜基礎(chǔ)上,利用射頻磁控濺射法在PET和玻璃襯底上室溫制備了AZO/Ag/AZO多層膜,并研究了Ag層厚度、Ag層濺射功率以及襯底種類對(duì)多層膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。結(jié)果表明,AZO
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