2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、GaN常溫下禁帶寬度為3.4eV,光譜響應(yīng)的閾值波長為365nm,不吸收可見光,制成的紫外探測器可以做到可見光盲,不需要濾光系統(tǒng)。這樣可以大大提高量子效率,滿足紫外探測的需求。由GaN材料構(gòu)成的負電子親和勢(NEA)光電陰極可以達到很高的量子效率,同時耐高溫、耐腐蝕、抗輻射性能也更好,因而是研制真空紫外探測器的最理想材料之一。本文圍繞GaN光電陰極的制備工藝、梯度摻雜陰極樣品的量子效率、陰極光電發(fā)射量子效率的衰減與恢復(fù)及陰極在透射模式下

2、的發(fā)射量子效率等方面開展研究。
   利用紫外光電陰極在線激活與測試系統(tǒng)和X射線光電子光譜儀(XPS)研究了GaN光電陰極的制備工藝,給出了具體的化學(xué)清洗工藝和加熱凈化過程。利用XPS分別分析了化學(xué)清洗和加熱處理后的GaN(0001)表面的化學(xué)成分,并研究了GaN陰極Cs,O激活步驟及方法。
   為了獲得更好的量子效率,設(shè)計了一種梯度摻雜結(jié)構(gòu)的GaN光電陰極樣品,利用紫外光譜響應(yīng)測試儀器對三種樣品(其他兩種均勻摻雜樣品

3、作為參照)一起進行了凈化及激活,測得三者的量子效率,實驗結(jié)構(gòu)證明變摻雜結(jié)構(gòu)可以有效的提高GaN光電陰極的量子效率,在230nm處取得的峰值可達60%。
   測試了均勻摻雜及梯度摻雜兩種樣品在真空系統(tǒng)中300nm處量子效率的衰減,并從雙偶極層模型角度分析了量子效率衰減的原因,運用補Cs激活,可以使GaN光電陰極的量子效率得到恢復(fù)甚至達到比第一次激活更高的值,說明真空系統(tǒng)中GaN光電陰極量子效率的衰減是由于陰極表面Cs的吸附量減少

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