接觸輝光放電等離子體產(chǎn)生的羥基自由基的檢測及其在聚合反應中的應用.pdf

1、低溫等離子體技術(shù)是上世紀后期出現(xiàn)的一種新型水處理技術(shù)，即在常溫常壓下，通過非法拉第電解可以產(chǎn)生大量活性粒子，如羥基自由基（·OH）(標準氧化電位為2.80V)，以及紫外線和沖擊波，對水體中的污染物有很強的破壞作用。
　　 該類報道甚多，相對而言，對于活性粒子的測定研究較少。本文的目的之一就是研究輝光放電電解等離子體中羥基自由基的測定方法；同時研究了自由基引發(fā)的聚合反應，合成高分子阻垢劑。結(jié)果表明，所建立的分析方法和合成方法均有實

2、際應用價值。
　　 論文由五章組成:
　　 第一章介紹了等離子體的基本概念，綜述了羥基自由基的檢測方法和應用范圍、自由基引發(fā)阻垢劑合成的現(xiàn)狀，最后，簡要介紹了實驗中用到的正交實驗方法。
　　 第二章以水楊酸為捕獲劑，采用高效液相色譜檢測了接觸輝光放電產(chǎn)生的羥基自由基，在體系pH 值為3.2的條件下，考察了放電電壓和溶液電導率對輝光放電等離子體中產(chǎn)生的羥基自由基濃度的影響，并半定量地計算了輝光放電電解過程中羥基自由

3、基的產(chǎn)量與實驗條件之間的關(guān)系。
　　 第三章對輝光放電等離子體技術(shù)引發(fā)合成高分子聚合馬來酸酐-丙烯酰胺共聚物阻垢劑進行了研究，借助正交設計法,考察了原料濃度、電壓、后聚合時間等因素對聚合物分子量、阻垢率的影響。
　　 第四章對輝光放電等離子體技術(shù)引發(fā)合成高分子聚合馬來酸酐-丙烯酸共聚物阻垢劑進行了研究，借助正交設計法,考察了原料濃度、電壓、后聚合時間等因素對聚合物分子量、阻垢率的影響。
　　 第五章對輝光放電等離