等離子體鞘套隱身特性研究.pdf

1、等離子體隱身技術(shù)是隱身技術(shù)研究熱點之一，由于其突出的優(yōu)點、對軍事目標(biāo)隱身產(chǎn)生革命性影響以及在軍事領(lǐng)域中較高的應(yīng)用價值，已成為國內(nèi)外廣泛關(guān)注的一個熱門研究課題。再入返回是導(dǎo)彈、雷達、飛船返回采用的普遍形式，其中涉及到再入物理學(xué)、等離子體物理學(xué)、現(xiàn)代雷達、電子對抗等眾多學(xué)術(shù)領(lǐng)域，所以對再入返回艙等離子體鞘套隱身特性的深入研究在軍事上具有重要的意義。
　　 首先本文從理論上分析了再入返回的每個具體過程，并在后續(xù)章節(jié)中使用時域有限差分方

2、法對隱身段做了具體的分析，計算了電磁波在等離子體層中的傳播情況，以及等離子體對被覆蓋目標(biāo)的雷達散射截面的影響情況。
　　 其次較系統(tǒng)的研究了等離子體鞘套的折射隱身和碰撞吸收隱身?；陔姴ㄜ壽E方程畫出了電磁波在等離子體球中的電波軌跡，自主研制編寫仿真界面，模擬電磁波在等離子體球的傳播軌跡，并分析了不均勻等離子體對電磁波的折射后的能量衰減。然后用基于Microsoft的開發(fā)工具Visual Studio2005自主研發(fā)編寫了綜合的仿

3、真界面：用溫采爾—克勞邁斯—勃立魯英(WKB)方法研究了垂直入射、斜入射情況下，非磁化等離子體電子密度呈均勻分布、線性分布、拋物線分布和Epstein分布時，等離子體鞘套層對電磁波的碰撞吸收。同時也用WKB方法討論了磁化等離子體電子密度呈均勻分布、線性分布、拋物線分布和Epstein分布時，等離子體鞘套層對圓極化電磁波、異常模電磁波的碰撞吸收。
　　 最后對于雷達再入返回時出現(xiàn)“黑障”現(xiàn)象的技術(shù)難題，提出了采用強激光技術(shù)，研究了