缺陷結(jié)構(gòu)對(duì)單負(fù)材料光子晶體透射譜的影響.pdf

1、由于光子晶體特殊光學(xué)性質(zhì)使得對(duì)光子晶體的研究，無(wú)論是在理論上，還是實(shí)驗(yàn)和應(yīng)用上都獲吸引了人們廣泛的關(guān)注。光子晶體結(jié)構(gòu)可以很好的控制光路的傳播路徑，而且還能現(xiàn)今的半導(dǎo)體材料科學(xué)和精密加工工藝很好地結(jié)合，極有可能成為未來(lái)光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料。光子晶體的制作過(guò)程中會(huì)不可避免的摻入雜志。由于在光子晶體中摻雜引入缺陷將會(huì)破壞光子晶體原來(lái)的周期性結(jié)構(gòu)或者周期單元中材料結(jié)構(gòu)的物理特性，引起光子晶體的帶隙結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。由于缺陷的引入，原來(lái)完好的光子晶體帶

2、隙結(jié)構(gòu)中將產(chǎn)生非常強(qiáng)的光子局域，形成缺陷模。
　　運(yùn)用傳輸矩陣法研究光在有缺陷結(jié)構(gòu)的單負(fù)一維光子晶體的傳輸特性。首先討論了帶有缺陷結(jié)構(gòu)的單負(fù)一維光子晶體的透射譜、反射譜以及光場(chǎng)，分析缺陷結(jié)構(gòu)對(duì)單負(fù)材料一維光子晶體的缺陷模的影響。經(jīng)過(guò)數(shù)值模擬發(fā)現(xiàn)，缺陷結(jié)構(gòu)的光學(xué)厚度會(huì)影響缺陷模的中心頻率和空間分布，缺陷層周?chē)慕橘|(zhì)材料參數(shù)也會(huì)影響缺陷的光學(xué)特性。因此，改變?nèi)毕輰拥臄?shù)目和在光子晶體中的位置可以使缺陷模的位置發(fā)生移動(dòng)并有可能導(dǎo)致缺陷模分