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文檔簡介
1、本文用射頻磁控濺射技術(shù)制備了Au/(Si/SiO2)/P-Si結(jié)構(gòu)的樣品，測定了樣品在室溫下的I-V特性曲線以及不同電壓下的電致發(fā)光譜。對其電致發(fā)光的內(nèi)在機制進(jìn)行了研究。 對載流子輸運機制的研究，主要是用隧穿模型和熱電子發(fā)射模型對測得的I-V特性曲線進(jìn)行分析。結(jié)果表明在較高的電場下，Au/(Si/SiO2)/p-Si結(jié)構(gòu)的I-V曲線隨Fowler-Nordheim規(guī)律變化，陷阱對電流的影響不明顯，電流受電壓和溫度以及薄膜的厚度影
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