反點(diǎn)陣陣列膜的結(jié)構(gòu)和磁性.pdf

1、高密度磁記錄介質(zhì)有著廣泛的重要用途，目前記錄密度已經(jīng)達(dá)到180Gb/in<'2>。近年來，為了繼續(xù)提高記錄密度，磁性納米線、磁性納米顆粒、磁性點(diǎn)陣等成為研究熱點(diǎn)。但是，它們有一個(gè)共同的缺陷就是降低記錄單元尺寸以增加記錄密度時(shí)，磁記錄介質(zhì)會(huì)出現(xiàn)超順磁現(xiàn)象。隨著納米技術(shù)發(fā)展的日新月異，最近人們發(fā)現(xiàn)磁性反點(diǎn)陣陣列膜比以上幾種介質(zhì)優(yōu)越在：沒有超順磁的限制，能保持連續(xù)磁性薄膜的主要特點(diǎn)；獨(dú)特的磁疇結(jié)構(gòu)、形狀誘導(dǎo)的磁各向異性、釘扎效應(yīng)；減少反點(diǎn)陣陣

2、列膜中孔徑，可以增加存儲(chǔ)容量。因此，反點(diǎn)陣陣列膜有望將、記錄密度提高一個(gè)新臺(tái)階。本文利用氧化鋁模板具有高孔隙率的特點(diǎn)，通過大量的實(shí)驗(yàn)制備了不同孔徑，不同膜厚的反點(diǎn)陣陣列膜。通過掃描電鏡、X射線衍射、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)、內(nèi)轉(zhuǎn)換電子穆斯堡爾譜、磁性測(cè)量系統(tǒng)、微波測(cè)量系統(tǒng)地研究了樣品的結(jié)構(gòu)、微觀磁性、宏觀磁性，得到的主要?jiǎng)?chuàng)新性結(jié)果如下： 1、首次發(fā)現(xiàn)反點(diǎn)陣陣列膜的磁矩分布在一個(gè)錐形面上，這與連續(xù)膜相比有著質(zhì)的差別。這是由于孔洞的存在降低了

3、垂直膜面方向的退磁能，從而使得磁矩不再完全被壓在面內(nèi)，有一部分磁矩與膜面存在一定的夾角。 2、首次在Fe反點(diǎn)陣陣列膜隨溫度變化時(shí)發(fā)現(xiàn)不可逆磁行為。這主要來自于孔洞的釘扎帶來了很大的能量勢(shì)壘，使得反點(diǎn)陣陣列膜在場(chǎng)冷和零場(chǎng)冷卻曲線過程中出現(xiàn)不可逆的磁行為。 3、首次在Co反點(diǎn)陣陣列膜發(fā)現(xiàn)矯頑力和剩磁比隨溫度的變化出現(xiàn)了一個(gè)峰值。這是由于Co的磁晶各向異性常數(shù)隨溫度變化，造成了磁晶各向異性能和孔洞的釘扎能與熱能之間的競(jìng)爭(zhēng)。