反點陣陣列膜的結構和磁性.pdf

1、高密度磁記錄介質有著廣泛的重要用途，目前記錄密度已經(jīng)達到180Gb/in<'2>。近年來，為了繼續(xù)提高記錄密度，磁性納米線、磁性納米顆粒、磁性點陣等成為研究熱點。但是，它們有一個共同的缺陷就是降低記錄單元尺寸以增加記錄密度時，磁記錄介質會出現(xiàn)超順磁現(xiàn)象。隨著納米技術發(fā)展的日新月異，最近人們發(fā)現(xiàn)磁性反點陣陣列膜比以上幾種介質優(yōu)越在：沒有超順磁的限制，能保持連續(xù)磁性薄膜的主要特點；獨特的磁疇結構、形狀誘導的磁各向異性、釘扎效應；減少反點陣陣

2、列膜中孔徑，可以增加存儲容量。因此，反點陣陣列膜有望將、記錄密度提高一個新臺階。本文利用氧化鋁模板具有高孔隙率的特點，通過大量的實驗制備了不同孔徑，不同膜厚的反點陣陣列膜。通過掃描電鏡、X射線衍射、振動樣品磁強計、內轉換電子穆斯堡爾譜、磁性測量系統(tǒng)、微波測量系統(tǒng)地研究了樣品的結構、微觀磁性、宏觀磁性，得到的主要創(chuàng)新性結果如下： 1、首次發(fā)現(xiàn)反點陣陣列膜的磁矩分布在一個錐形面上，這與連續(xù)膜相比有著質的差別。這是由于孔洞的存在降低了

3、垂直膜面方向的退磁能，從而使得磁矩不再完全被壓在面內，有一部分磁矩與膜面存在一定的夾角。 2、首次在Fe反點陣陣列膜隨溫度變化時發(fā)現(xiàn)不可逆磁行為。這主要來自于孔洞的釘扎帶來了很大的能量勢壘，使得反點陣陣列膜在場冷和零場冷卻曲線過程中出現(xiàn)不可逆的磁行為。 3、首次在Co反點陣陣列膜發(fā)現(xiàn)矯頑力和剩磁比隨溫度的變化出現(xiàn)了一個峰值。這是由于Co的磁晶各向異性常數(shù)隨溫度變化，造成了磁晶各向異性能和孔洞的釘扎能與熱能之間的競爭。